产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.95A（Ta） 790mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS5P02R2G
仓库库存编号：
NTMS5P02R2GOSCT-ND
别名：NTMS5P02R2GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
型号：
RZQ050P01TR
仓库库存编号：
RZQ050P01CT-ND
别名：RZQ050P01CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 105A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL8113PBF
仓库库存编号：
IRL8113PBF-ND
别名：*IRL8113PBF
SP001576430
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Tj） 1.3W（Ta） ChipFET?
型号：
NTHS4101PT1G
仓库库存编号：
NTHS4101PT1GOSCT-ND
别名：NTHS4101PT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISS28DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS28DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS28DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.95A（Ta） 8-SOIC
型号：
NVMS5P02R2G
仓库库存编号：
NVMS5P02R2G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Tc） 3.2W（Tc） 8-SO
型号：
STS17NF3LL
仓库库存编号：
497-3224-1-ND
别名：497-3224-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3W（Ta），70W（Tc） 8-SOIC-EP
型号：
STSJ100NHS3LL
仓库库存编号：
STSJ100NHS3LL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.4A（Ta） 790mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4P01R2
仓库库存编号：
NTMS4P01R2OS-ND
别名：NTMS4P01R2OS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） DPAK
型号：
NTD78N03
仓库库存编号：
NTD78N03-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） I-Pak
型号：
NTD78N03-001
仓库库存编号：
NTD78N03-001-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） I-Pak
型号：
NTD78N03-035
仓库库存编号：
NTD78N03-035-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） I-Pak
型号：
NTD78N03-1G
仓库库存编号：
NTD78N03-1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） I-Pak
型号：
NTD78N03-35G
仓库库存编号：
NTD78N03-35G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） DPAK
型号：
NTD78N03T4
仓库库存编号：
NTD78N03T4-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） DPAK
型号：
NTD78N03T4G
仓库库存编号：
NTD78N03T4GOSCT-ND
别名：NTD78N03T4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.95A（Ta） 790mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS5P02R2SG
仓库库存编号：
NTMS5P02R2SGOSCT-ND
别名：NTMS5P02R2SGOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7440DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7440DP-T1-E3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7440DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7440DP-T1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 40A（Tc） 8.3W（Ta），71W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD40N02-08-E3
仓库库存编号：
SUD40N02-08-E3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706S
仓库库存编号：
IRF3706S-ND
别名：*IRF3706S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7459
仓库库存编号：
IRF7459-ND
别名：*IRF7459
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3706
仓库库存编号：
IRF3706-ND
别名：*IRF3706
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-262
型号：
IRF3706L
仓库库存编号：
IRF3706L-ND
别名：*IRF3706L
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRL
仓库库存编号：
IRF3706STRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 4.5V,
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