产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3W(Ta),22.2W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E130GNTB
仓库库存编号:
RS1E130GNTBCT-ND
别名:RS1E130GNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta),15W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E100GNTB
仓库库存编号:
RQ3E100GNTBCT-ND
别名:RQ3E100GNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 30/20 WITH ZENER IN SSOT6 DU
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Ta) 960mW(Ta) SOT-23-6
型号:
FDC30N20DZ
仓库库存编号:
FDC30N20DZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 20V 7A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.4W(Ta) 6-HUSON(2x2)
型号:
UPA2600T1R-E2-AX
仓库库存编号:
UPA2600T1R-E2-AX-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 37W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y29-40EX
仓库库存编号:
1727-1110-1-ND
别名:1727-1110-1
568-10265-1
568-10265-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta),19A(Tc) 3.5W(Ta),42W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B85NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B85NLT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta),19A(Tc) 3.5W(Ta),42W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B85NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B85NLT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta),19A(Tc) 3.5W(Ta),42W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B85NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B85NLWFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta),19A(Tc) 3.5W(Ta),42W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B85NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B85NLWFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMN90H8D5HCT
仓库库存编号:
DMN90H8D5HCT-ND
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMN95H8D5HCT
仓库库存编号:
DMN95H8D5HCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.9nC @ 10V,
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