产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8447L_F085
仓库库存编号：
FDD8447L_F085CT-ND
别名：FDD8447L_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP11N60F
仓库库存编号：
FCP11N60FFS-ND
别名：FCP11N60F-ND
FCP11N60FFS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C628NLT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8447L
仓库库存编号：
FDB8447LCT-ND
别名：FDB8447LCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB11N50APBF
仓库库存编号：
IRFB11N50APBF-ND
别名：*IRFB11N50APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ025N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSZ025N04LSATMA1CT-ND
别名：BSZ025N04LSATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIB7N50APBF
仓库库存编号：
IRFIB7N50APBF-ND
别名：*IRFIB7N50APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 203W（Tc） D2PAK
型号：
BUK765R2-40B,118
仓库库存编号：
1727-4706-1-ND
别名：1727-4706-1
568-5856-1
568-5856-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN8R7-80PS,127
仓库库存编号：
1727-5898-ND
别名：1727-5898
568-7517-5
568-7517-5-ND
934064001127
PSMN8R7-80PS,127-ND
PSMN8R780PS127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF11N60F
仓库库存编号：
FCPF11N60F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP11N60
仓库库存编号：
FCP11N60-ND
别名：FCP11N60_NL
FCP11N60_NL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R165CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R165CPXKSA1-ND
别名：IPP60R165CP
IPP60R165CP-ND
IPP60R165CPX
IPP60R165CPXK
SP000084279
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC034N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC034N03LSGATMA1TR-ND
别名：BSC034N03LS G
BSC034N03LS G-ND
SP000475948
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 88W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8796
仓库库存编号：
FDD8796CT-ND
别名：FDD8796CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tj） D-PAK（TO-252）
型号：
FDD86569_F085
仓库库存编号：
FDD86569_F085CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），44W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8447L
仓库库存编号：
FDD8447LCT-ND
别名：FDD8447LCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC8026S
仓库库存编号：
FDMC8026SCT-ND
别名：FDMC8026SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
型号：
RCD100N19TL
仓库库存编号：
RCD100N19TLCT-ND
别名：RCD100N19TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB86569_F085
仓库库存编号：
FDB86569_F085CT-ND
别名：FDB86569_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A LTPS
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 50W（Tc） LPTS
型号：
RSJ400N06TL
仓库库存编号：
RSJ400N06TLCT-ND
别名：RSJ400N06TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB11N60TM
仓库库存编号：
FCB11N60TMCT-ND
别名：FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLCT-ND
FCB11N60TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9388TRPBF
仓库库存编号：
IRF9388TRPBFCT-ND
别名：IRF9388TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R165CP
仓库库存编号：
IPB60R165CPCT-ND
别名：IPB60R165CPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS11N50APBF
仓库库存编号：
IRFS11N50APBF-ND
别名：*IRFS11N50APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta），41A（Tc） 2.2W（Ta）, 36.5W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF296L
仓库库存编号：
785-1772-ND
别名：785-1772
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52nC @ 10V,
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