产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17551Q5A
仓库库存编号:
296-30612-1-ND
别名:296-30612-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG410NZ
仓库库存编号:
FDG410NZCT-ND
别名:FDG410NZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16V 4.66A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
PHK04P02T,518
仓库库存编号:
1727-2156-1-ND
别名:1727-2156-1
568-11953-1
568-11953-1-ND
568-12317-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1W(Ta) W迷你型8-F1
型号:
FK8V03040L
仓库库存编号:
FK8V03040LCT-ND
别名:FK8V03040LCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tj) 375mW(Ta),2.4W(Tc) 6-TSSOP
型号:
PMG85XP,115
仓库库存编号:
1727-1353-1-ND
别名:1727-1353-1
568-10791-1
568-10791-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A SOT363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tj) 375mW(Ta),2.4W(Tc) 6-TSSOP
型号:
PMG85XPH
仓库库存编号:
PMG85XPH-ND
别名:934064765125
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRL
仓库库存编号:
IRL3714ZSCTL-ND
别名:*IRL3714ZSTRL
IRL3714ZSCTL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714Z
仓库库存编号:
IRL3714Z-ND
别名:*IRL3714Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714ZL
仓库库存编号:
IRL3714ZL-ND
别名:*IRL3714ZL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714ZPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZPBF-ND
别名:*IRL3714ZPBF
SP001578634
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSPBF-ND
别名:*IRL3714ZSPBF
SP001568360
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714ZLPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZLPBF-ND
别名:*IRL3714ZLPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSTRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 35W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL3714ZSTRLPBF-ND
别名:SP001557964
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 4.5V,
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