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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4156DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4156DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4156DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5403DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5403DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5403DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS402DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS402DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS402DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），14A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2734
  仓库库存编号：FDMS2734CT-ND
  别名：FDMS2734CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N120TRL
  仓库库存编号：IXTA3N120CT-ND
  别名：IXTA3N120CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S2L23ATMA3
  仓库库存编号：IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND
  别名：IPD30N06S2L23ATMA3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PMK35EP,518
  仓库库存编号：1727-7204-1-ND
  别名：1727-7204-1
  568-9695-1
  568-9695-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4455DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4455DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4455DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2672
  仓库库存编号：FDMS2672CT-ND
  别名：FDMS2672CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N65K3
  仓库库存编号：497-12562-5-ND
  别名：497-12562-5
  STF10N65K3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC042N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC042N03LSGINCT
  BSC042N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N120
  仓库库存编号：IXTP3N120-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R800C3
  仓库库存编号：IPP90R800C3-ND
  别名：IPP90R800C3XKSA1
  SP000413748
  SP000683102
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 110W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298000
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6015FNX
  仓库库存编号：R6015FNX-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 110W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298004
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI10N65K3
  仓库库存编号：497-13578-5-ND
  别名：497-13578-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASPBF-ND
  别名：*IRFBC40ASPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 110W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298006
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），45A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3009SFG-7
  仓库库存编号：DMN3009SFG-7DICT-ND
  别名：DMN3009SFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.8A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7672S
  仓库库存编号：FDMC7672SCT-ND
  别名：FDMC7672SCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.8A (Ta） 2.3W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7672S_F126
  仓库库存编号：FDMC7672S_F126CT-ND
  别名：FDMC7672S_F126CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.8A (Ta） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7680
  仓库库存编号：FDMC7680CT-ND
  别名：FDMC7680CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5680
  仓库库存编号：FDS5680CT-ND
  别名：FDS5680CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.85A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4490DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4490DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4490DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 42nC @ 10V,
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