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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tj） 65W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN075-100MSEX
  仓库库存编号：1727-1085-1-ND
  别名：1727-1085-1
  568-10231-1
  568-10231-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 25A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y41-80EX
  仓库库存编号：1727-1486-1-ND
  别名：1727-1486-1
  568-10966-1
  568-10966-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 34A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Tc） 59.5W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R360P7SAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R360P7SAKMA1-ND
  别名：SP001499712
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 34A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Tc） 26.4W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA70R360P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA70R360P7SXKSA1-ND
  别名：SP001499698
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Tc） 7.2W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R360P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R360P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R360P7SATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 34A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Tc） 59.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R360P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R360P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R360P7SAUMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 20W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM680P06CP ROG
  仓库库存编号：TSM680P06CP ROGTR-ND
  别名：TSM680P06CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 20W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM680P06CP ROG
  仓库库存编号：TSM680P06CP ROGCT-ND
  别名：TSM680P06CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 20W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM680P06CP ROG
  仓库库存编号：TSM680P06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM680P06CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 20W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM680P06CH X0G
  仓库库存编号：TSM680P06CH X0G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 12.5A（Tc） 26.5W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN70R360P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAN70R360P7SXKSA1-ND
  别名：SP001682066
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V,
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