产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (8)
ON Semiconductor (5)
Renesas Electronics America (3)
STMicroelectronics (2)
Vishay Siliconix (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3499DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3499DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3499DV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 140W(Tc) TO-220
型号:
STP105N3LL
仓库库存编号:
497-13587-5-ND
别名:497-13587-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 136W(Tc) TO-220
型号:
STP160N3LL
仓库库存编号:
497-16021-5-ND
别名:497-16021-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0328DPB-01#J0
仓库库存编号:
RJK0328DPB-01#J0TR-ND
别名:RJK0328DPB-01#J0TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 24A(Ta),123A(Tc) 4W(Ta),107W(Tc) DPAK
型号:
NVD5890NLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5890NLT4G-VF01-ND
别名:NVD5890NLT4G
NVD5890NLT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0653DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0653DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0653DPB-00#J5CT
RJK0653DPB00J5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457TRPBF
仓库库存编号:
IRF7457PBFCT-ND
别名:*IRF7457TRPBF
IRF7457PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 24V 80A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
NTD80N02-001
仓库库存编号:
NTD80N02-001OS-ND
别名:NTD80N02-001OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 80A(Tc) 75W(Tc) DPAK
型号:
NTD80N02T4
仓库库存编号:
NTD80N02T4OSCT-ND
别名:NTD80N02T4OSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 24V 80A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
NTD80N02-1G
仓库库存编号:
NTD80N02-1GOS-ND
别名:NTD80N02-1GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3499DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3499DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3499DV-T1-E3CT
SI3499DVT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 80A(Tc) 75W(Tc) DPAK
型号:
NTD80N02T4G
仓库库存编号:
NTD80N02T4GOSCT-ND
别名:NTD80N02T4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK03C1DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK03C1DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK03C1DPB-00#J5CT
RJK03C1DPB00J5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457
仓库库存编号:
IRF7457-ND
别名:*IRF7457
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457TR
仓库库存编号:
IRF7457TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 27A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
64-9145
仓库库存编号:
64-9145CT-ND
别名:*IRF6620
IRF6620CT
IRF6620CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 27A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6620TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6620TR1PBFCT-ND
别名:IRF6620TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),75W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6728MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6728MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6728MTR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A MX
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),100W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF8304MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF8304MTR1PBFCT-ND
别名:IRF8304MTR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A MX
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF8308MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF8308MTR1PBFCT-ND
别名:IRF8308MTR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号