产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6294
仓库库存编号:
FDS6294CT-ND
别名:FDS6294CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP85N3LH5
仓库库存编号:
497-8451-5-ND
别名:497-8451-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6298
仓库库存编号:
FDS6298CT-ND
别名:FDS6298CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VPBFCT-ND
别名:*IRF7807VTRPBF
IRF7807VPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLL2703TRPBFCT-ND
别名:IRLL2703TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6906XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6906XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU85N3LH5
仓库库存编号:
497-12702-5-ND
别名:497-12702-5
STU85N3LH5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD50N03L
仓库库存编号:
497-7970-1-ND
别名:497-7970-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y65-100E,115
仓库库存编号:
1727-1125-1-ND
别名:1727-1125-1
568-10280-1
568-10280-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD86N3LH5
仓库库存编号:
497-8890-1-ND
别名:497-8890-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RRQ045P03TR
仓库库存编号:
RRQ045P03CT-ND
别名:RRQ045P03CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
BUK9245-55A,118
仓库库存编号:
1727-7185-1-ND
别名:1727-7185-1
568-9671-1
568-9671-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS100N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS100N03FU6TB-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.8A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN2NE10L
仓库库存编号:
STN2NE10L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 40A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STD50N03L-1
仓库库存编号:
STD50N03L-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD85N3LH5
仓库库存编号:
497-7976-1-ND
别名:497-7976-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 67A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH8230E,115
仓库库存编号:
1727-3123-1-ND
别名:1727-3123-1
568-2350-1
568-2350-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS100N03TB
仓库库存编号:
RSS100N03TBCT-ND
别名:RSS100N03TBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A 1.2W 8-SO
型号:
FDS6298_G
仓库库存编号:
FDS6298_G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703
仓库库存编号:
IRLL2703-ND
别名:*IRLL2703
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TR
仓库库存编号:
IRLL2703TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTR
仓库库存编号:
IRF7807VTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 14A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC085N025S G
仓库库存编号:
BSC085N025S G-ND
别名:BSC085N025SGXT
SP000095469
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.6A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N03S G
仓库库存编号:
BSC094N03S G-ND
别名:BSC094N03SGXT
SP000016415
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
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