产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),60A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD16340Q3
仓库库存编号:
296-25646-1-ND
别名:296-25646-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 4.5V,
含铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),39A(Tc) 2.4W(Ta),19W(Tc) 8-HSO
型号:
SK8603180L
仓库库存编号:
P16270CT-ND
别名:P16270CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 60A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD16340Q3T
仓库库存编号:
CSD16340Q3T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.8A(Ta) 8-SOIC
型号:
NVMS4816NR2G
仓库库存编号:
NVMS4816NR2G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 4.5V,
无铅
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