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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N08S2L07AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08S2L07AKSA1-ND
  别名：IPP100N08S2L-07
  IPP100N08S2L-07-ND
  SP000219052
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 246nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N08S2L07ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N08S2L-07
  IPB100N08S2L-07-ND
  SP000219053
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 246nC @ 10V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 90A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 90A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50DAM38CTG
  仓库库存编号：APTM50DAM38CTG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 246nC @ 10V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 90A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 90A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50DAM38TG
  仓库库存编号：APTM50DAM38TG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 246nC @ 10V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 90A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 90A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50SKM38TG
  仓库库存编号：APTM50SKM38TG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 246nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N08S2L-07
  仓库库存编号：SPB100N08S2L-07-ND
  别名：SP000013716
  SPB100N08S2L07T
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 246nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N08S2L-07
  仓库库存编号：SPP100N08S2L-07-ND
  别名：SP000013723
  SPP100N08S2L07
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 246nC @ 10V,
• 含铅
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