产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7110DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7110DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7110DN-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta) 52W(Ta) TO-252
型号:
FDD306P
仓库库存编号:
FDD306PCT-ND
别名:FDD306PCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1C025ZPT2CR
仓库库存编号:
RW1C025ZPT2CRCT-ND
别名:RW1C025ZPT2CRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB47XP,115
仓库库存编号:
1727-1375-1-ND
别名:1727-1375-1
568-10824-1
568-10824-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME910PZT
仓库库存编号:
FDME910PZTCT-ND
别名:FDME910PZTCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC645N
仓库库存编号:
FDC645NCT-ND
别名:FDC645NCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16414Q5
仓库库存编号:
296-24257-1-ND
别名:296-24257-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
含铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 8A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) DFN2020-6J
型号:
MCM1208-TP
仓库库存编号:
MCM1208-TPMSCT-ND
别名:MCM1208-TPMSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8413DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8413DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8413DB-T1-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) 40W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK0393DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK0393DPA-00#J5ATR-ND
别名:RJK0393DPA-00#J5A-ND
RJK0393DPA-00#J5ATR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7840BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7840BDP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7110DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7110DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7110DN-T1-GE3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) DPAK
型号:
NTD95N02R
仓库库存编号:
NTD95N02R-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) I-Pak
型号:
NTD95N02R-001
仓库库存编号:
NTD95N02R-001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) I-Pak
型号:
NTD95N02R-1G
仓库库存编号:
NTD95N02R-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) DPAK
型号:
NTD95N02RG
仓库库存编号:
NTD95N02RG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) DPAK
型号:
NTD95N02RT4
仓库库存编号:
NTD95N02RT4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 12A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),86W(Tc) DPAK
型号:
NTD95N02RT4G
仓库库存编号:
NTD95N02RT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.2A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5445BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5445BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5445BDC-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3.6A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8405DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8405DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8405DB-T1-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD3808N-1G
仓库库存编号:
NTD3808N-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD3808N-35G
仓库库存编号:
NTD3808N-35G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16V 12A(Ta),76A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) DPAK
型号:
NTD3808NT4G
仓库库存编号:
NTD3808NT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 4.6A(Ta) 970mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS1135PT1G
仓库库存编号:
NTGS1135PT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 18A(Ta) 2.19W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN4009LK3-13
仓库库存编号:
DMN4009LK3-13DICT-ND
别名:DMN4009LK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V,
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