产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix (5)
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7625DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7625DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7625DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB290L
仓库库存编号：
785-1329-1-ND
别名：785-1329-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
型号：
SPD50P03L G
仓库库存编号：
SPD50P03LGINCT-ND
别名：SPD50P03LGINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP50020EL-GE3
仓库库存编号：
SUP50020EL-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 140A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-220
型号：
AOT290L
仓库库存编号：
785-1271-5-ND
别名：785-1271-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM50020EL-GE3
仓库库存编号：
SUM50020EL-GE3CT-ND
别名：SUM50020EL-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7740TRPBF
仓库库存编号：
IRFR7740TRPBFCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS
仓库库存编号：
BSC009NE2LSCT-ND
别名：BSC009NE2LSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 89A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7740PBF
仓库库存编号：
IRFR7740PBF-ND
别名：SP001571546
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 100V 105A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），300W（Tc） TO-262
型号：
AOW292
仓库库存编号：
785-1730-5-ND
别名：785-1730-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 105A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），300W（Tc） TO-220
型号：
AOT292L
仓库库存编号：
785-1636-5-ND
别名：785-1636-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 105A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），300W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB292L
仓库库存编号：
785-1618-1-ND
别名：785-1618-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 20A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH20N100P
仓库库存编号：
IXFH20N100P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 660W（Tc） TO-268
型号：
IXFT20N100P
仓库库存编号：
IXFT20N100P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 11A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR20N100P
仓库库存编号：
IXFR20N100P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 87A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 87A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU7740PBF
仓库库存编号：
IRFU7740PBF-ND
别名：SP001573600
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8812NZ
仓库库存编号：
FDS8812NZCT-ND
别名：FDS8812NZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4438DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4438DY-T1-E3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4438DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4438DY-T1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 288W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R6-40YLC,115
仓库库存编号：
1727-7277-1-ND
别名：1727-7277-1
568-9907-1
568-9907-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJK5020DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK5020DPK-00#T0-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 100V 140A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17.5A(Ta), 140A(Tc) 1.9W（Ta），500W（Tc） TO-262
型号：
AOW290
仓库库存编号：
785-1729-5-ND
别名：785-1729-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP070N06L G
仓库库存编号：
IPP070N06LGIN-ND
别名：IPP070N06L G-ND
IPP070N06LGIN
IPP070N06LGX
IPP070N06LGXK
SP000204171
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB070N06L G
仓库库存编号：
IPB070N06LGINCT-ND
别名：IPB070N06LG
IPB070N06LGINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
无铅
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