产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR422DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR422DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR422DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19531Q5AT
仓库库存编号：
296-37749-1-ND
别名：296-37749-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 235W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB33N25TM
仓库库存编号：
FDB33N25TMCT-ND
别名：FDB33N25TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF33N25T
仓库库存编号：
FDPF33N25T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD088N06N3 G
仓库库存编号：
IPD088N06N3 GCT-ND
别名：IPD088N06N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30P06P G
仓库库存编号：
SPD30P06P GCT-ND
别名：SPD30P06P GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB9N65APBF
仓库库存编号：
IRFB9N65APBF-ND
别名：*IRFB9N65APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1700V 2.5A
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 3W（Ta），55W（Tc） TO-3PF
型号：
WPH4003-1E
仓库库存编号：
WPH4003-1EOS-ND
别名：WPH4003-1EOS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW22N95K5
仓库库存编号：
497-14580-5-ND
别名：497-14580-5
STW22N95K5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N03S4L-04
仓库库存编号：
IPD70N03S4L-04CT-ND
别名：IPD70N03S4L-04CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
SIHU6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHU6N65E-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIB5N65APBF
仓库库存编号：
IRFIB5N65APBF-ND
别名：*IRFIB5N65APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -40V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 22A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM150P04LCS RLG
仓库库存编号：
TSM150P04LCS RLGTR-ND
别名：TSM150P04LCS RLGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -40V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 22A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM150P04LCS RLG
仓库库存编号：
TSM150P04LCS RLGCT-ND
别名：TSM150P04LCS RLGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -40V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 22A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM150P04LCS RLG
仓库库存编号：
TSM150P04LCS RLGDKR-ND
别名：TSM150P04LCS RLGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc）
型号：
SIHP12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHP12N50C-E3-ND
别名：SIHP12N50C-E3CT
SIHP12N50C-E3CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 158W（Tc） DPAK
型号：
BUK7226-75A,118
仓库库存编号：
1727-7155-1-ND
别名：1727-7155-1
568-9638-1
568-9638-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
型号：
MCQ4407-TP
仓库库存编号：
MCQ4407-TPMSCT-ND
别名：MCQ4407-TPMSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK20A60W,S5VX
仓库库存编号：
TK20A60WS5VX-ND
别名：ASTK20A60W,S5VX(M
TK20A60W,S5VX(M
TK20A60WS5VX
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK20V60W,LVQ
仓库库存编号：
TK20V60WLVQCT-ND
别名：TK20V60WLVQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
型号：
AUIRLL2705TR
仓库库存编号：
AUIRLL2705TRCT-ND
别名：AUIRLL2705TRCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD15P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD15P10PGBTMA1CT-ND
别名：SPD15P10PGBTMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 235W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP33N25
仓库库存编号：
FDP33N25-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ460P2
仓库库存编号：
IXTQ460P2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65E-GE3-ND
别名：SIHD6N65E-GE3CT
SIHD6N65E-GE3CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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