产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD3860
仓库库存编号：
FDD3860CT-ND
别名：FDD3860CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），75A（Tc） 820mW（Ta）, 33W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4C05NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4C05NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4C05NTAGOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
型号：
STD20NF06T4
仓库库存编号：
497-6561-1-ND
别名：497-6561-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH7R506NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH7R506NHL1QCT-ND
别名：TPH7R506NHL1QCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5864NG
仓库库存编号：
NTP5864NGOS-ND
别名：NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD200N15N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD200N15N3GATMA1CT-ND
别名：IPD200N15N3GATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB200N15N3 G
仓库库存编号：
IPB200N15N3 GCT-ND
别名：IPB200N15N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF18N65M5
仓库库存编号：
497-13100-5-ND
别名：497-13100-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8880
仓库库存编号：
FDD8880CT-ND
别名：FDD8880CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP200N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP200N15N3GXKSA1-ND
别名：IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-ND
IPP200N15N3G
SP000680884
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） TO-247
型号：
STW18N65M5
仓库库存编号：
497-13283-5-ND
别名：497-13283-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD25CN10NGATMA1CT-ND
别名：IPD25CN10NGATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.9A（Tc） 126W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R255P6AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R255P6AUMA1CT-ND
别名：IPL60R255P6AUMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
型号：
STB16N65M5
仓库库存编号：
497-11235-1-ND
别名：497-11235-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF18N55M5
仓库库存编号：
497-11324-5-ND
别名：497-11324-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP18N65M5
仓库库存编号：
497-13109-5-ND
别名：497-13109-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
型号：
STI16N65M5
仓库库存编号：
497-11327-5-ND
别名：497-11327-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
型号：
STI18N65M5
仓库库存编号：
497-13272-5-ND
别名：497-13272-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A PT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS0312AS
仓库库存编号：
FDMS0312ASCT-ND
别名：FDMS0312ASCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta），70A（Tc） 920mW（Ta），43W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4937NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4937NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4937NT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） Power56
型号：
FDMS8027S
仓库库存编号：
FDMS8027SCT-ND
别名：FDMS8027SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），44A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB3672_F085
仓库库存编号：
FDB3672_F085CT-ND
别名：FDB3672_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R299CPXKSA1-ND
别名：IPP50R299CP
IPP50R299CPIN
IPP50R299CPIN-ND
IPP50R299CPXK
SP000680938
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB6N80TM
仓库库存编号：
FQB6N80TMCT-ND
别名：FQB6N80TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 10V,
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