产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 179W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-25YLC,115
仓库库存编号:
1727-5294-1-ND
别名:1727-5294-1
568-6722-1
568-6722-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD60NF06T4
仓库库存编号:
497-6195-1-ND
别名:497-6195-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB60NF06T4
仓库库存编号:
497-7950-1-ND
别名:497-7950-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRPBF
仓库库存编号:
IRFR6215TRPBFCT-ND
别名:IRFR6215TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),65W(Tc) Power56
型号:
FDMS7670AS
仓库库存编号:
FDMS7670ASFSCT-ND
别名:FDMS7670ASFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 14.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA15N50E-E3
仓库库存编号:
SIHA15N50E-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI740GPBF
仓库库存编号:
IRFI740GPBF-ND
别名:*IRFI740GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215PBF
仓库库存编号:
IRFU6215PBF-ND
别名:*IRFU6215PBF
SP001557816
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10S312AKSA1-ND
别名:IPP70N10S3-12
IPP70N10S3-12-ND
IPP70N10S312
SP000407122
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 166W(Tc) D2PAK
型号:
PHB47NQ10T,118
仓库库存编号:
1727-4767-1-ND
别名:1727-4767-1
568-5944-1
568-5944-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS427EDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS427EDN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC7660S
仓库库存编号:
FDMC7660SFSCT-ND
别名:FDMC7660SFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta),41A(Tc) 3.9W(Ta),90W(Tc) DPAK
型号:
NVD6824NLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD6824NLT4G-VF01OSCT-ND
别名:NVD6824NLT4G-VF01OSCT
NVD6824NLT4GOSCT
NVD6824NLT4GOSCT-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta),80A(Tc) 175W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP070AN06A0
仓库库存编号:
FDP070AN06A0-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR846ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR846ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR846ADP-T1-GE3CT
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 175W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB070AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDB070AN06A0_F085CT-ND
别名:FDB070AN06A0_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),169A(Tc) 3.6W(Ta),96W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8311TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8311TRPBFCT-ND
别名:IRFH8311TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
IRF60R217
仓库库存编号:
IRF60R217CT-ND
别名:IRF60R217CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INCT-ND
IPB70N10S312ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF6215PBF
仓库库存编号:
IRF6215PBF-ND
别名:*IRF6215PBF
SP001559672
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
SPP16N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP16N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681056
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW16N50C3
仓库库存编号:
SPW16N50C3IN-ND
别名:SP000014472
SPW16N50C3FKSA1
SPW16N50C3IN
SPW16N50C3X
SPW16N50C3XK
SPW16N50C3XTIN
SPW16N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R7-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4389-ND
别名:1727-4389
568-5235
568-5235-5
568-5235-5-ND
568-5235-ND
934064005127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S403ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S403ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S403AKSA1-ND
别名:IPI80N04S4-03
IPI80N04S4-03-ND
SP000671634
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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