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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6211-75C,118
  仓库库存编号：1727-5504-1-ND
  别名：1727-5504-1
  568-6982-1
  568-6982-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4510TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4510TRPBFCT-ND
  别名：IRFR4510TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ48NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ48NSTRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），90A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS8558SDC
  仓库库存编号：FDMS8558SDCCT-ND
  别名：FDMS8558SDCCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 148A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 148A（Ta） 192W（Tc） TO-220
  
  型号：TK65E10N1,S1X
  仓库库存编号：TK65E10N1S1X-ND
  别名：TK65E10N1,S1X(S
  TK65E10N1S1X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB13N50APBF
  仓库库存编号：IRFB13N50APBF-ND
  别名：*IRFB13N50APBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 1.56W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO130P03S H
  仓库库存编号：BSO130P03S HCT-ND
  别名：BSO130P03S HCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 66A（Tc） 44.6W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N06CP ROGTR-ND
  别名：TSM60N06CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 66A（Tc） 44.6W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N06CP ROGCT-ND
  别名：TSM60N06CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 66A（Tc） 44.6W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60N06CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 78A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6610-75C,118
  仓库库存编号：1727-5515-1-ND
  别名：1727-5515-1
  568-6994-1
  568-6994-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
• 不适用
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 178W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R4-30BLE,118
  仓库库存编号：1727-1102-1-ND
  别名：1727-1102-1
  568-10257-1
  568-10257-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 131A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM70060E-GE3
  仓库库存编号：SUM70060E-GE3TR-ND
  别名：SUM70060E-GE3TR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 131A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM70060E-GE3
  仓库库存编号：SUM70060E-GE3CT-ND
  别名：SUM70060E-GE3-ND
  SUM70060E-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），90A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS8558S
  仓库库存编号：FDMS8558SCT-ND
  别名：FDMS8558SCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S5L1R9ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.7A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060P03NS3E G
  仓库库存编号：BSC060P03NS3E GCT-ND
  别名：BSC060P03NS3E GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta），279A（Tc） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD18535KTTT
  仓库库存编号：296-44121-1-ND
  别名：296-44121-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48NPBF
  仓库库存编号：IRFZ48NPBF-ND
  别名：*IRFZ48NPBF
  SP001552474
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK65A10N1,S4X
  仓库库存编号：TK65A10N1S4X-ND
  别名：TK65A10N1,S4X(S
  TK65A10N1,S4X-ND
  TK65A10N1S4X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 35A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI4510GPBF
  仓库库存编号：IRFI4510GPBF-ND
  别名：SP001566752
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 80V 72A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Ta） 192W（Tc） TO-220
  
  型号：TK72E08N1,S1X
  仓库库存编号：TK72E08N1S1X-ND
  别名：TK72E08N1,S1X(S
  TK72E08N1S1X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 56.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 56.6A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SUA70060E-E3
  仓库库存编号：SUA70060E-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 131A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 131A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP70060E-GE3
  仓库库存编号：SUP70060E-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Ta） 157W（Tc） TO-252-3
  
  型号：TK90S06N1L,LQ
  仓库库存编号：TK90S06N1LLQCT-ND
  别名：TK90S06N1LLQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 81nC @ 10V,
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