产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ402EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ402EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ402EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 91W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN2R4-30MLDX
仓库库存编号：
1727-1791-1-ND
别名：1727-1791-1
568-11374-1
568-11374-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），40W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA10DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA10DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA10DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD40N06-14L_GE3
仓库库存编号：
SQD40N06-14L_GE3CT-ND
别名：SQD40N06-14L_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 107W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD25N15-52_GE3
仓库库存编号：
SQD25N15-52_GE3CT-ND
别名：SQD25N15-52_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），111A（Tc） 3.1W（Ta），96W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5832NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5832NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5832NLT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA10DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA10DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA10DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP13N95K3
仓库库存编号：
497-10784-5-ND
别名：497-10784-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
STP11N52K3
仓库库存编号：
497-11870-5-ND
别名：497-11870-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 190W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFSL11N50APBF
仓库库存编号：
IRFSL11N50APBF-ND
别名：*IRFSL11N50APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF13N95K3
仓库库存编号：
497-12568-5-ND
别名：497-12568-5
STF13N95K3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI13N95K3
仓库库存编号：
497-13267-5-ND
别名：497-13267-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E160ADTB
仓库库存编号：
RQ3E160ADTBCT-ND
别名：RQ3E160ADTBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc）
型号：
SI4048DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4048DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4048DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 20A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），140A（Tc） 2.2W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMNH4006SK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH4006SK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH4006SK3Q-13DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 18A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMNH4006SK3-13
仓库库存编号：
DMNH4006SK3-13DICT-ND
别名：DMNH4006SK3-13DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD19N20-90-E3
仓库库存编号：
SUD19N20-90-E3CT-ND
别名：SUD19N20-90-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB11N52K3
仓库库存编号：
497-11839-1-ND
别名：497-11839-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 125W（Tc） Power88
型号：
FCMT299N60
仓库库存编号：
FCMT299N60CT-ND
别名：FCMT299N60CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP33N10
仓库库存编号：
FQP33N10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2552
仓库库存编号：
FDB2552CT-ND
别名：FDB2552CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 278W（Tc） TO-220
型号：
AOT14N50
仓库库存编号：
785-1170-5-ND
别名：785-1170-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP2552
仓库库存编号：
FDP2552FS-ND
别名：FDP2552-ND
FDP2552FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.75W（Ta），127W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB33N10TM
仓库库存编号：
FQB33N10TMCT-ND
别名：FQB33N10TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP034N03LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP034N03LGXKSA1-ND
别名：IPP034N03L G
IPP034N03LGIN
IPP034N03LGIN-ND
IPP034N03LGXK
SP000680772
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 51nC @ 10V,
无铅
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邮箱：
sales@szcwdz.com
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800152669
手机网站：
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