产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. (3)
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Renesas Electronics America (1)
Vishay Siliconix (6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4408DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4408DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4408DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Ta) 65W(Tc) 5-LFPAK
型号:
RJK0301DPB-02#J0
仓库库存编号:
RJK0301DPB-02#J0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4408DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4408DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH2625L,115
仓库库存编号:
1727-3051-1-ND
别名:1727-3051-1
568-2177-1
568-2177-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.9A(Ta) 1.38W(Tj) 8-SOIC
型号:
NTMS4101PR2
仓库库存编号:
NTMS4101PR2OS-ND
别名:NTMS4101PR2OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 5.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5473DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5473DC-T1-E3CT-ND
别名:SI5473DC-T1-E3CT
SI5473DCT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),85A(Tc) 2.08W(Ta),100W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1418
仓库库存编号:
785-1121-1-ND
别名:785-1121-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3493DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3493DV-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3493DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3493DV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 5.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5473DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5473DC-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.5A(Ta) 550mW(Ta) 4-AlphaDFN(1.57x1.57)
型号:
AOC2412
仓库库存编号:
AOC2412-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 4.5A(Ta) 550mW(Ta) 4-AlphaDFN(1.57x1.57)
型号:
AOC2414
仓库库存编号:
AOC2414-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7467
仓库库存编号:
IRF7467-ND
别名:*IRF7467
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7467TR
仓库库存编号:
IRF7467TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7471TR
仓库库存编号:
IRF7471TR-ND
别名:SP001577558
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113
仓库库存编号:
IRLR8113-ND
别名:*IRLR8113
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113TR
仓库库存编号:
IRLR8113TR-ND
别名:SP001558970
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8113PBF
仓库库存编号:
IRLU8113PBF-ND
别名:*IRLU8113PBF
SP001552924
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8113PBFCT-ND
别名:*IRLR8113TRPBF
IRLR8113PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7471TRPBF
仓库库存编号:
IRF7471PBFCT-ND
别名:*IRF7471TRPBF
IRF7471PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),95A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6713STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6713STR1PBFCT-ND
别名:IRF6713STR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7467TRPBF
仓库库存编号:
IRF7467TRPBFCT-ND
别名:IRF7467TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V,
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