产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
Diodes Incorporated (3)
Infineon Technologies (36)
IXYS (10)
Microsemi Corporation (7)
Nexperia USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (13)
ON Semiconductor (5)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (13)
Texas Instruments (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (18)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18531Q5A
仓库库存编号：
296-30573-1-ND
别名：296-30573-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS2670
仓库库存编号：
FDS2670CT-ND
别名：FDS2670CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 52A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），52A（Tc） 7.4W（Ta），104W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6250
仓库库存编号：
785-1666-1-ND
别名：785-1666-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7430DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7430DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7430DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
型号：
SI4472DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4472DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4472DY-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 27A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP27P06
仓库库存编号：
FQP27P06-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF21N90K5
仓库库存编号：
497-12853-5-ND
别名：497-12853-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），27A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS2572
仓库库存编号：
FDMS2572CT-ND
别名：FDMS2572CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ZSTRRPBF
仓库库存编号：
IRFZ44ZSTRRPBFCT-ND
别名：IRFZ44ZSTRRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF630PBF
仓库库存编号：
IRF630PBF-ND
别名：*IRF630PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 17A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF27P06
仓库库存编号：
FQPF27P06FS-ND
别名：FQPF27P06-ND
FQPF27P06FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44ZLPBF
仓库库存编号：
IRFZ44ZLPBF-ND
别名：*IRFZ44ZLPBF
SP001571852
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
STP21N90K5
仓库库存编号：
497-12864-5-ND
别名：497-12864-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 40A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），40W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7404
仓库库存编号：
785-1304-1-ND
别名：785-1304-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.6A（Ta），79A（Tc） 920mW（Ta），43W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4936NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4936NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4936NT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44ZPBF
仓库库存编号：
IRFZ44ZPBF-ND
别名：*IRFZ44ZPBF
SP001578606
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP65N06
仓库库存编号：
FDP65N06-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP16N50P
仓库库存编号：
IXFP16N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N50P
仓库库存编号：
IXFH16N50P-ND
别名：611778
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
型号：
SI4472DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4472DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4472DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R199CP
仓库库存编号：
IPB60R199CPCT-ND
别名：IPB60R199CPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R199CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R199CPXKSA1-ND
别名：IPA60R199CP
IPA60R199CP-ND
SP000094146
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R199CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R199CPXKSA1-ND
别名：IPP60R199CP
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CPX
IPP60R199CPXK
SP000084278
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.105 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF33N60DM2
仓库库存编号：
497-16355-5-ND
别名：497-16355-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R280C6XKSA1-ND
别名：IPI60R280C6
IPI60R280C6-ND
SP000687554
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
