产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7430DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7430DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7430DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 3.1W(Ta),5.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4472DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4472DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4472DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630PBF
仓库库存编号:
IRF630PBF-ND
别名:*IRF630PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 3.1W(Ta),5.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4472DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4472DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4472DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),44.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR878DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR878DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR878DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7430DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7430DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7430DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI630GPBF
仓库库存编号:
IRFI630GPBF-ND
别名:*IRFI630GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRLPBF
仓库库存编号:
IRF630STRLPBFCT-ND
别名:IRF630STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7726DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7726DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7726DN-T1-GE3TR
SI7726DNT1GE3
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 6.8W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4064EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4064EY-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD45N05-20L-GE3
仓库库存编号:
SQD45N05-20L-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630S
仓库库存编号:
IRF630S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI630G
仓库库存编号:
IRFI630G-ND
别名:*IRFI630G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF630L
仓库库存编号:
IRF630L-ND
别名:*IRF630L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRL
仓库库存编号:
IRF630STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRR
仓库库存编号:
IRF630STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC630PBF
仓库库存编号:
IRC630PBF-ND
别名:*IRC630PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 3W(Ta),6.25W(Tc) 8-SO
型号:
SI4752DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4752DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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