产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33.4nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 42W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXFP5N100PM
仓库库存编号:
IXFP5N100PM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33.4nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 17A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2816T1S-E2-AT
仓库库存编号:
UPA2816T1S-E2-AT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33.4nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA5N100P
仓库库存编号:
IXFA5N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33.4nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP5N100P
仓库库存编号:
IXFP5N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33.4nC @ 10V,
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