产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
型号：
TPW4R50ANH,L1Q
仓库库存编号：
TPW4R50ANHL1QCT-ND
别名：TPW4R50ANHL1QCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR882DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TRPBF
仓库库存编号：
IRFR5410PBFCT-ND
别名：*IRFR5410TRPBF
IRFR5410PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），132A（Tc） 3.4W（Ta），165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS6B03NT1G
仓库库存编号：
NTMFS6B03NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS6B03NT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC084P03NS3 G
仓库库存编号：
BSC084P03NS3 GCT-ND
别名：BSC084P03NS3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5410PBF
仓库库存编号：
IRFU5410PBF-ND
别名：*IRFU5410PBF
SP001557796
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG14N50D-E3
仓库库存编号：
SIHG14N50D-E3-ND
别名：SIHG14N50DE3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.8A（Ta） 940mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMG7401SFG-7
仓库库存编号：
DMG7401SFG-7DICT-ND
别名：DMG7401SFG-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Ta），32A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6413
仓库库存编号：
785-1668-1-ND
别名：785-1668-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD30NF06T4
仓库库存编号：
497-6562-1-ND
别名：497-6562-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
STB45NF06T4
仓库库存编号：
497-10314-1-ND
别名：497-10314-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86101A
仓库库存编号：
FDMS86101ACT-ND
别名：FDMS86101ACT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH4R50ANH,L1Q
仓库库存编号：
TPH4R50ANHL1QCT-ND
别名：TPH4R50ANHL1QCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 205W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP9N90C
仓库库存编号：
FQP9N90CFS-ND
别名：FQP9N90C-ND
FQP9N90CFS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR5410TRL
仓库库存编号：
AUIRFR5410TRLCT-ND
别名：AUIRFR5410TRLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC037N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC037N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC037N08NS5ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
STP45NF06
仓库库存编号：
497-3189-5-ND
别名：497-3189-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 68W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9N90CT
仓库库存编号：
FQPF9N90CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF12N60E-E3
仓库库存编号：
SIHF12N60E-E3-ND
别名：SIHF12N60EE3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB12N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N60E-GE3-ND
别名：SIHB12N60EGE3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP12N60E-GE3-ND
别名：SIHP12N60E-GE3CT
SIHP12N60E-GE3CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP12CN10LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP12CN10LGXKSA1-ND
别名：IPP12CN10L G
IPP12CN10L G-ND
IPP12CN10LG
SP000680864
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18532Q5B
仓库库存编号：
296-35628-1-ND
别名：296-35628-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
型号：
FQA10N80C_F109
仓库库存编号：
FQA10N80C_F109FS-ND
别名：FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
FQA10N80CF109
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF12N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHF12N60E-GE3CT-ND
别名：SIHF12N60E-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 58nC @ 10V,
无铅
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