产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD11S60
仓库库存编号：
785-1264-1-ND
别名：785-1264-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2N60
仓库库存编号：
785-1180-1-ND
别名：785-1180-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
NDT014
仓库库存编号：
NDT014CT-ND
别名：NDT014CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL014TRPBF
仓库库存编号：
IRFL014PBFCT-ND
别名：*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 56.8W（Tc） D-Pak
型号：
FDD770N15A
仓库库存编号：
FDD770N15ACT-ND
别名：FDD770N15ACT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3458BDV-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN3300ANH,LQ
仓库库存编号：
TPN3300ANHLQCT-ND
别名：TPN3300ANHLQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH1110FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH1110FNHL1QCT-ND
别名：TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD014PBF
仓库库存编号：
IRFD014PBF-ND
别名：*IRFD014PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ14PBF
仓库库存编号：
IRFZ14PBF-ND
别名：*IRFZ14PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14SPBF
仓库库存编号：
IRFZ14SPBF-ND
别名：IRFZ14SPBFCT
IRFZ14SPBFCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRLMS5703TRPBF
仓库库存编号：
IRLMS5703PBFCT-ND
别名：*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3458BDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3458BDV-T1-E3CT-ND
别名：SI3458BDV-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） TO-252-3
型号：
FDD5612
仓库库存编号：
FDD5612CT-ND
别名：FDD5612CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A CPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 40W（Tc） CPT3
型号：
R6004CNDTL
仓库库存编号：
R6004CNDTLCT-ND
别名：R6004CNDTLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9010PBF
仓库库存编号：
IRFD9010PBF-ND
别名：*IRFD9010PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU014PBF
仓库库存编号：
IRFU014PBF-ND
别名：*IRFU014PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ14GPBF
仓库库存编号：
IRFIZ14GPBF-ND
别名：*IRFIZ14GPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 178W（Tc） TO-220
型号：
AOT11S60L
仓库库存编号：
785-1250-5-ND
别名：785-1250-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R190P6
仓库库存编号：
IPP60R190P6-ND
别名：IPP60R190P6XKSA1
SP001017066
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
型号：
AUIRF7640S2TR
仓库库存编号：
AUIRF7640S2CT-ND
别名：AUIRF7640S2CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB90R340C3ATMA1
仓库库存编号：
IPB90R340C3ATMA1CT-ND
别名：IPB90R340C3ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
型号：
MCQ4459-TP
仓库库存编号：
MCQ4459-TPMSCT-ND
别名：MCQ4459-TPMSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20.3A（Tc） 62W（Tc） D2PAK
型号：
PHB20N06T,118
仓库库存编号：
1727-4761-1-ND
别名：1727-4761-1
568-5938-1
568-5938-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 22A（Tc） 56W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN050-80BS,118
仓库库存编号：
1727-7212-1-ND
别名：1727-7212-1
568-9703-1
568-9703-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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