产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)(7)
TO-261-4,TO-261AA(10)
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)(3)
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(30)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(15)
TO-220-3(17)
8-PowerVDFN(4)
TO-220-3 整包(21)
TO-247-3(1)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363(1)
SOT-23-6(2)
SC-74,SOT-457(2)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6(5)
TO-243AA(1)
SC-100,SOT-669(1)
PowerPAK? SC-70-6 双(1)
PowerPAK? 1212-8(1)
8-SMD,扁平引线(1)
8-PowerTDFN(1)
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)(3)
4-DIP(0.300",7.62mm)(4)
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA(11)
4-VSFN 裸露焊盘(1)
TO-251-3 短截引线,IPak(6)
TO-220-3 全封装,隔离接片(3)
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA(5)
DirectFET? 等距 SB(1)
3-XDFN 裸露焊盘(3)
重新选择
STMicroelectronics(5)
Fairchild/ON Semiconductor(21)
Micro Commercial Co(1)
On Semiconductor(2)
Nexperia USA Inc.(8)
Rohm Semiconductor(2)
Toshiba Semiconductor and Storage(27)
Vishay Siliconix(40)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(19)
Central Semiconductor Corp(1)
Global Power Technologies Group(6)
Infineon Technologies(25)
NXP USA Inc.(4)
重新选择
表面贴装(93)
通孔(68)
重新选择
-55°C ~ 150°C(TJ)(84)
-65°C ~ 150°C(TJ)(1)
-55°C ~ 175°C(TJ)(32)
150°C(TJ)(35)
-40°C ~ 150°C(TJ)(1)
-50°C ~ 150°C(TJ)(8)
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-(73)
SuperMESH3??(5)
TrenchFET?(5)
TrenchMOS??(3)
U-MOSIII(1)
PowerTrench?(9)
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?(1)
QFET?(7)
汽车级,AEC-Q101,PowerTrench?(1)
aMOS??(8)
U-MOSVIII-H(3)
DTMOSIV(3)
CoolMOS??(1)
OptiMOS??(7)
HEXFET?(6)
LITTLE FOOT?(1)
CoolMOS? P6(2)
π-MOSVII(15)
CoolMOS? C6(1)
π-MOSV(1)
CoolMOS? P7(5)
FETKY??(3)
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剪切带(CT) (49)
散装 (1)
带卷(TR) (38)
管件 (68)
-Reel? (1)
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在售(93)
已不再提供(4)
不可用于新设计(3)
过期(61)
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8-SO(5)
SOT-223(8)
D-Pak(15)
DPAK(3)
D2PAK(11)
TO-220-3(4)
TO-220AB(8)
TO-220(4)
TO-220FP(1)
8-SOIC(1)
SuperSOT?-6(3)
6-TSOP(4)
SC-70-6(SOT-363)(1)
TO-252,(D-Pak)(3)
8-SOP(1)
TO-252-3(1)
LFPAK56,Power-SO8(1)
SOT-223-4(2)
PowerPAK? SC-70-6 双(1)
PowerPAK? 1212-8(1)
SOT-89(1)
TO-252(2)
Micro8?(3)
D2PAK(TO-263AB)(1)
TO-220F(4)
I-Pak(4)
4-DIP,Hexdip,HVMDIP(4)
8-PQFN(5x6),Power56(1)
8-SOP Advance(5x5)(1)
TO-263(D2Pak)(1)
CPT3(2)
8-TSON Advance(3.3x3.3)(2)
PG-TO252-3(4)
TO-251A(3)
PG-TO263-2(1)
TO-251AA(2)
TO-220SIS(13)
TO-262(1)
PG-TO-220-3(2)
PG-TO263(1)
PG-TO247-3(1)
PG-TO220-3(1)
Micro6?(TSOP-6)(1)
Micro6?(SOT23-6)(1)
TO-251(1)
TO-262-3(1)
I2PAK(1)
TO-220-3F(2)
PG-TO220 整包(1)
DIRECTFET SB(1)
PG-TO251-3(3)
TO-251-3(3)
DFN1010D-3(3)
TO-251(IPAK)(1)
4-DFN-EP(8x8)(1)
PG-TO262-3(1)
PS-8 (2.9x2.4)(1)
8-SOP(5.5x6.0)(3)
TO-220FI(LS)(1)
Thin-PAK(5x6)(1)
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MOSFET(金属氧化物)(161)
重新选择
12V(1)
±30V(60)
±20V(96)
±25V(3)
±12V(1)
重新选择
11nC @ 10V(161)
重新选择
29 毫欧 @ 6A,10V(1)
50 毫欧 @ 6A,10V(1)
400 毫欧 @ 900mA,10V(1)
399 毫欧 @ 3.8A,10V(8)
30 毫欧 @ 7A,10V(1)
4.4 欧姆 @ 1A,10V(4)
200 毫欧 @ 1.6A,10V(5)
75 毫欧 @ 10A,10V(2)
77 毫欧 @ 12A,10V(1)
100 毫欧 @ 3.2A,10V(2)
33 毫欧 @ 4.7A,10V(1)
46 毫欧 @ 10A,10V(1)
29 毫欧 @ 7.6A,10V(1)
19 毫欧 @ 9A,10V(1)
112 毫欧 @ 5A,10V(1)
200 毫欧 @ 1A,10V(2)
1.8 欧姆 @ 2A,10V(1)
200 毫欧 @ 6A,10V(10)
1.4 欧姆 @ 3A,10V(1)
180 毫欧 @ 1.6A,10V(1)
115 毫欧 @ 3A,10V(1)
34 毫欧 @ 6A,10V(1)
55 毫欧 @ 5.4A,10V(1)
1.5 欧姆 @ 2.5A,10V(4)
77 毫欧 @ 10A,10V(1)
500 毫欧 @ 580mA,10V(2)
200 毫欧 @ 4.6A,10V(7)
200 毫欧 @ 4.8A,10V(2)
190 毫欧 @ 7.6A,10V(2)
36 毫欧 @ 13A,10V(1)
340 毫欧 @ 9.2A,10V(1)
72 毫欧 @ 5A,10V(1)
1.5 欧姆 @ 1A,10V(1)
2 欧姆 @ 1.9A,10V(2)
2.6 欧姆 @ 1.25A,10V(3)
17 毫欧 @ 30A,10V(1)
4.7 欧姆 @ 1A,10V(7)
5.4 欧姆 @ 1A,10V(1)
425 毫欧 @ 1.4A,10V(1)
1.095 欧姆 @ 5A,10V(1)
51 毫欧 @ 10A,10V(1)
30 毫欧 @ 4.8A,10V(1)
158 毫欧 @ 2.7A,10V(2)
1.05 欧姆 @ 2.9A,10V(2)
38 毫欧 @ 4.5A,10V(1)
67 毫欧 @ 3.2A,10V(1)
120 毫欧 @ 2.4A,10V(2)
160 毫欧 @ 1.9A,10V(3)
200 毫欧 @ 1.2A,10V(3)
78 毫欧 @ 13A,10V(3)
3 欧姆 @ 900mA,10V(7)
1 欧姆 @ 2.9A,10V(1)
3.4 欧姆 @ 600mA,10V(1)
6.3 欧姆 @ 1A,10V(1)
725 毫欧 @ 1.1A,10V(2)
3.4 欧姆 @ 900mA,10V(1)
5.3 欧姆 @ 650mA,10V(1)
1.2 欧姆 @ 1.7A,10V(5)
500 毫欧 @ 3.8A,10V(1)
1.35 欧姆 @ 2.8A,10V(1)
1.7 欧姆 @ 2.5A,10V(1)
1.2 欧姆 @ 3.3A,10V(1)
2.51 欧姆 @ 1.3A,10V(1)
2.25 欧姆 @ 1.5A,10V(1)
420 毫欧 @ 2.2A,10V(1)
720 毫欧 @ 1.5A,10V(1)
4.7 欧姆 @ 1.2A,10V(2)
4.7 欧姆 @ 800mA,10V(1)
57 毫欧 @ 4.2A,10V(1)
61 毫欧 @ 3.3A,10V(1)
17 毫欧 @ 5.5A,10V(1)
27 毫欧 @ 3.8A,10V(1)
16 毫欧 @ 3.6A,10V(1)
500 毫欧 @ 900mA,10V(1)
500 毫欧 @ 2.7A,10V(1)
1.7 欧姆 @ 2A,10V(1)
2.2 欧姆 @ 1.8A,10V(2)
1.88 欧姆 @ 2A,10V(2)
10.6 毫欧 @ 10A,10V(1)
3.25 欧姆 @ 1.8A,10V(2)
23 毫欧 @ 6.2A,10V(1)
1.65 欧姆 @ 2.25A, 10V(4)
1.85 欧姆 @ 2A, 10V(2)
80 毫欧 @ 13A,10V(2)
79 毫欧 @ 13A,10V(1)
重新选择
10V(129)
4.5V,10V(23)
2.5V,10V(2)
4V,10V(1)
6V,10V(6)
重新选择
N 沟道(138)
P 沟道(23)
重新选择
2.4A(Tc)(2)
18A(Tc)(2)
2A(Tc)(14)
2.5A(Tc)(3)
3A(Tc)(1)
10A(Tc)(10)
11A(Tc)(8)
3.5A(Tc)(1)
4A(Tc)(2)
8A(Tc)(2)
5.8A(Ta)(3)
3A(Ta)(2)
2A(Ta)(3)
1.8A(Ta)(2)
3.5A(Ta)(2)
4A(Ta)(4)
2.5A(Ta)(1)
5.7A(Ta)(1)
1.5A(Ta)(2)
1.7A(Ta)(2)
6A(Ta)(3)
5A(Ta)(5)
6.5A(Ta)(2)
3.2A(Ta)(1)
3.7A(Ta)(2)
2.7A(Ta)(1)
6.2A(Ta)(1)
1.4A(Ta)(1)
1.9A(Ta)(1)
11A(Ta)(1)
2.4A(Ta)(3)
5.5A(Ta)(1)
10A(Ta)(1)
2.7A(Tc)(3)
7.2A(Ta)(1)
1.1A(Ta)(2)
2.3A(Ta)(1)
1.1A(Tc)(2)
7.5A(Ta)(1)
1.8A(Tc)(8)
30A(Tc)(1)
15A(Tc)(1)
5.4A(Ta)(1)
3.8A(Tc)(2)
1.6A(Tc)(1)
6.7A(Ta)(1)
7.6A(Ta)(1)
7.7A(Tc)(7)
5.3A(Tc)(1)
39A(Tc)(1)
6.9A(Ta)(1)
9A(Ta)(1)
4.5A(Tc)(10)
4.9A(Ta)(1)
9.4A(Tc)(1)
4.1A(Tc)(2)
13A(Tc)(6)
5.6A(Tc)(1)
3.3A(Tc)(1)
22A(Tc)(2)
20.2A(Tc)(2)
4.7A(Tc)(1)
5.8A(Ta),21A(Tc)(1)
20.3A(Tc)(2)
9.6A(Tc)(1)
1.3A(Tc)(1)
6A(Ta),26A(Tc)(1)
650mA(Ta),8A(Tc)(1)
重新选择
280pF @ 25V(1)
350pF @ 25V(9)
2400pF @ 100V(1)
295pF @ 15V(1)
380pF @ 15V(1)
190pF @ 25V(3)
170pF @ 25V(9)
350pF @ 30V(2)
650pF @ 10V(1)
340pF @ 10V(1)
645pF @ 50V(1)
760pF @ 20V(1)
180pF @ 25V(3)
880pF @ 50V(1)
300pF @ 25V(22)
490pF @ 25V(9)
545pF @ 100V(9)
880pF @ 20V(1)
1100pF @ 100V(1)
560pF @ 15V(1)
640pF @ 10V(2)
325pF @ 25V(4)
155pF @ 25V(1)
240pF @ 25V(2)
450pF @ 25V(1)
520pF @ 15V(1)
310pF @ 25V(2)
765pF @ 75V(1)
340pF @ 25V(1)
295pF @ 25V(4)
294pF @ 15V(1)
660pF @ 30V(1)
540pF @ 25V(8)
1750pF @ 100V(2)
625pF @ 15V(1)
580pF @ 15V(1)
483pF @ 25V(2)
633pF @ 12V(2)
225pF @ 100V(1)
334pF @ 100V(3)
151pF @ 25V(1)
344pF @ 75V(2)
385pF @ 75V(1)
920pF @ 40V(1)
370pF @ 50V(2)
390pF @ 300V(3)
309pF @ 15V(2)
716pF @ 50V(6)
165pF @ 50V(2)
234pF @ 100V(3)
422pF @ 25V(1)
440pF @ 10V(1)
300pF @ 500V(5)
455pF @ 15V(1)
678pF @ 12V(1)
260pF @ 30V(2)
492pF @ 15V(2)
627pF @ 25V(4)
602pF @ 25V(2)
重新选择
-(156)
肖特基二极管(隔离式)(5)
重新选择
-(1)
4.5V @ 50μA(5)
4V @ 250μA(51)
2V @ 250μA(2)
2.5V @ 250μA(5)
1V @ 250μA(5)
5V @ 250μA(6)
2.4V @ 250μA(2)
2V @ 1mA(1)
2.3V @ 1mA(3)
1.5V @ 250μA(1)
3.5V @ 1mA(1)
1.4V @ 250μA(1)
3V @ 250μA(6)
4.5V @ 250μA(11)
4V @ 1mA(5)
3.5V @ 250μA(3)
1.95V @ 1mA(1)
4.1V @ 250μA(9)
4.5V @ 1mA(1)
5V @ 1mA(2)
4V @ 100μA(2)
4V @ 300μA(1)
4V @ 10μA(1)
4.5V @ 630μ(2)
5V @ 25μA(1)
3.5V @ 100μA(1)
3.5V @ 180μA(3)
4V @ 12μA(6)
4.4V @ 1mA(17)
3.5V @ 80μA(5)
重新选择
-(3)
45W(Tc)(2)
60W(Tc)(2)
80W(Tc)(5)
35W(Tc)(10)
40W(Tc)(1)
1.4W(Ta)(1)
1W(Ta)(6)
1.3W(Ta)(2)
1.6W(Ta)(3)
1.7W(Ta)(2)
56W(Tc)(2)
37W(Tc)(4)
3.1W(Ta)(3)
20W(Tc)(4)
3W(Ta)(1)
56.8W(Tc)(5)
51W(Tc)(1)
2W(Ta),3.3W(Tc)(2)
2.5W(Ta)(1)
2W(Ta),3.1W(Tc)(3)
38W(Tc)(2)
3.8W(Ta),42W(Tc)(1)
2.5W(Ta),25W(Tc)(7)
2.5W(Ta),45W(Tc)(3)
30W(Tc)(3)
62.5W(Tc)(1)
208W(Tc)(3)
62W(Tc)(2)
25W(Tc)(1)
178W(Tc)(3)
1.25W(Ta)(3)
1.2W(Ta)(1)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)(1)
1.5W(Ta),2.8W(Tc)(1)
2.8W(Ta)(1)
43W(Tc)(4)
64W(Tc)(1)
57W(Tc)(4)
700mW(Ta),27W(Tc)(2)
1W(Tc)(2)
2.5W(Ta),48W(Tc)(1)
1.6W(Ta),57W(Tc)(1)
3.7W(Ta),43W(Tc)(6)
27W(Tc)(2)
151W(Tc)(2)
28W(Tc)(3)
31W(Tc)(7)
32W(Tc)(2)
2.4W(Ta),30W(Tc)(1)
530mW(Ta), 4.46W(Tc)(1)
2.4W(Ta),4.8W(Tc)(2)
2W(Ta),28W(Tc)(2)
3.3W(Ta)(1)
400mW(Ta),8.33W(Tc)(1)
400mW(Ta),8.3W(Tc)(2)
3W(Ta),20W(Tc)(4)
540mW(Ta),6.25W(Tc)(1)
2.5W(Ta),26W(Tc)(1)
8.3W(Ta),156W(Tc)(1)
1W(Ta),30W(Tc)(1)
26.6W(Tc)(1)
42W(Ta)(2)
3.13W(Ta),64W(Tc)(1)
2.5W(Ta),24W(Tc)(1)
820mW(Ta),8.33W(Tc)(1)
92.5W(Tc)(4)
重新选择
50V(2)
150V(4)
80V(3)
200V(11)
25V(1)
100V(10)
40V(3)
30V(20)
60V(31)
450V(2)
250V(1)
900V(1)
600V(32)
400V(2)
800V(5)
650V(6)
500V(10)
55V(6)
700V(1)
550V(3)
525V(6)
520V(1)
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 208W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD11S60
仓库库存编号:
785-1264-1-ND
别名:785-1264-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2N60
仓库库存编号:
785-1180-1-ND
别名:785-1180-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT014
仓库库存编号:
NDT014CT-ND
别名:NDT014CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014TRPBF
仓库库存编号:
IRFL014PBFCT-ND
别名:*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 56.8W(Tc) D-Pak
型号:
FDD770N15A
仓库库存编号:
FDD770N15ACT-ND
别名:FDD770N15ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 700mW(Ta),27W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN3300ANH,LQ
仓库库存编号:
TPN3300ANHLQCT-ND
别名:TPN3300ANHLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.6W(Ta),57W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH1110FNH,L1Q
仓库库存编号:
TPH1110FNHL1QCT-ND
别名:TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD014PBF
仓库库存编号:
IRFD014PBF-ND
别名:*IRFD014PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ14PBF
仓库库存编号:
IRFZ14PBF-ND
别名:*IRFZ14PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14SPBF
仓库库存编号:
IRFZ14SPBF-ND
别名:IRFZ14SPBFCT
IRFZ14SPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS5703TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS5703PBFCT-ND
别名:*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 3.8W(Ta),42W(Tc) TO-252-3
型号:
FDD5612
仓库库存编号:
FDD5612CT-ND
别名:FDD5612CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A CPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 40W(Tc) CPT3
型号:
R6004CNDTL
仓库库存编号:
R6004CNDTLCT-ND
别名:R6004CNDTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9010PBF
仓库库存编号:
IRFD9010PBF-ND
别名:*IRFD9010PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU014PBF
仓库库存编号:
IRFU014PBF-ND
别名:*IRFU014PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ14GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ14GPBF-ND
别名:*IRFIZ14GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 178W(Tc) TO-220
型号:
AOT11S60L
仓库库存编号:
785-1250-5-ND
别名:785-1250-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R190P6
仓库库存编号:
IPP60R190P6-ND
别名:IPP60R190P6XKSA1
SP001017066
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta),21A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
AUIRF7640S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7640S2CT-ND
别名:AUIRF7640S2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB90R340C3ATMA1
仓库库存编号:
IPB90R340C3ATMA1CT-ND
别名:IPB90R340C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SOP
型号:
MCQ4459-TP
仓库库存编号:
MCQ4459-TPMSCT-ND
别名:MCQ4459-TPMSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20.3A(Tc) 62W(Tc) D2PAK
型号:
PHB20N06T,118
仓库库存编号:
1727-4761-1-ND
别名:1727-4761-1
568-5938-1
568-5938-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 22A(Tc) 56W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN050-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7212-1-ND
别名:1727-7212-1
568-9703-1
568-9703-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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