产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6681Z
仓库库存编号：
FDS6681ZCT-ND
别名：FDS6681ZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH75N10
仓库库存编号：
IXFH75N10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 1135W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN50N80Q2
仓库库存编号：
IXFN50N80Q2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 120W（Tc） TO-247
型号：
R6076ENZ1C9
仓库库存编号：
R6076ENZ1C9-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 131A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1405STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1405STRLPBFCT-ND
别名：IRF1405STRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3207TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3207TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3207TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ407EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ407EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
型号：
BUK661R9-40C,118
仓库库存编号：
1727-5518-1-ND
别名：1727-5518-1
568-6997-1
568-6997-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRF2804S-7P
仓库库存编号：
AUIRF2804S-7P-ND
别名：SP001521640
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
RSJ650N10TL
仓库库存编号：
RSJ650N10TLCT-ND
别名：RSJ650N10TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH110N10L2
仓库库存编号：
IXTH110N10L2-ND
别名：624231
Q5291125
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF2804STRL7PP
仓库库存编号：
IRF2804STRL7PPCT-ND
别名：IRF2804STRL7PPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 169A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1405PBF
仓库库存编号：
IRF1405PBF-ND
别名：*IRF1405PBF
SP001574466
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH75N10
仓库库存编号：
IXTH75N10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
详细描述：通孔 N 沟道 174A（Tc） 330W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
型号：
IRFBA1405PPBF
仓库库存编号：
IRFBA1405PPBF-ND
别名：*IRFBA1405PPBF
SP001570808
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） D3 [S]
型号：
APT47N60SC3G
仓库库存编号：
APT47N60SC3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT29F100B2
仓库库存编号：
APT29F100B2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT24M120L
仓库库存编号：
APT24M120L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3207PBF
仓库库存编号：
IRFB3207PBF-ND
别名：*IRFB3207PBF
SP001572410
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
型号：
APT31M100L
仓库库存编号：
APT31M100L-ND
别名：APT31M100LMP
APT31M100LMP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT24M120B2
仓库库存编号：
APT24M120B2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT47N60BC3G
仓库库存编号：
APT47N60BC3G-ND
别名：APT47N60BC3GMI
APT47N60BC3GMI-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT38F80L
仓库库存编号：
APT38F80L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
型号：
BUK6E2R3-40C,127
仓库库存编号：
1727-5887-ND
别名：1727-5887
568-7504-5
568-7504-5-ND
934064472127
BUK6E2R3-40C,127-ND
BUK6E2R340C127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT110N10L2
仓库库存编号：
IXTT110N10L2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 260nC @ 10V,
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