产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.6nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.3A(Tc) 6.25W(Tc) 8-SO
型号:
PHK18NQ03LT,518
仓库库存编号:
PHK18NQ03LT,518-ND
别名:934058815518
PHK18NQ03LT /T3
PHK18NQ03LT /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.6nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.7A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN27UN,135
仓库库存编号:
568-7417-1-ND
别名:568-7417-1
PMN27UN135
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.6nC @ 4.5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.3A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN23UN,135
仓库库存编号:
568-7416-1-ND
别名:568-7416-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.6nC @ 4.5V,
无铅
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