产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),113W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P06-15-GE3
仓库库存编号:
SUD50P06-15-GE3CT-ND
别名:SUD50P06-15-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P06-15L-E3
仓库库存编号:
SUD50P06-15L-E3CT-ND
别名:SUD50P06-15L-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ100E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ100E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ100E-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SQM60030E_GE3
仓库库存编号:
SQM60030E_GE3CT-ND
别名:SQM60030E_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9310TRPBF
仓库库存编号:
IRF9310TRPBFCT-ND
别名:IRF9310TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP032N06N3 G
IPP032N06N3 G-ND
IPP032N06N3G
SP000680770
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86500L
仓库库存编号:
FDMS86500LFSCT-ND
别名:FDMS86500LFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名:SP000680650
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPA032N06N3 G
IPA032N06N3 G-ND
IPA032N06N3G
SP000453608
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 156W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7085TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7085TRPBFCT-ND
别名:IRFH7085TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB029N06N3 G
仓库库存编号:
IPB029N06N3 GCT-ND
别名:IPB029N06N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 624W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT34F60B
仓库库存编号:
APT34F60B-ND
别名:APT34F60BMI
APT34F60BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 500W(Tc) TO-247AC
型号:
SUG80050E-GE3
仓库库存编号:
SUG80050E-GE3CT-ND
别名:SUG80050E-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN005-75P,127
仓库库存编号:
PSMN005-75P,127-ND
别名:934057042127
PSMN005-75P
PSMN005-75P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN005-75B,118
仓库库存编号:
1727-4769-1-ND
别名:1727-4769-1
568-5947-1
568-5947-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P06-15L-T4-E3
仓库库存编号:
SUD50P06-15L-T4-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 74A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 74A(Tc) 1400W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK74N50P2
仓库库存编号:
IXFK74N50P2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N30
仓库库存编号:
IXTH50N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 36A(Tc) 624W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT34M60B
仓库库存编号:
APT34M60B-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 375A(Tc) 4.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7799L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7799L2TR-ND
别名:SP001522796
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 34A(Tc) 624W(Tc) TO-247-3
型号:
APT34F60BG
仓库库存编号:
APT34F60BG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 220A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 220A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA220N075T
仓库库存编号:
IXTA220N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 220A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA220N075T7
仓库库存编号:
IXTA220N075T7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 115A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC220N075T
仓库库存编号:
IXTC220N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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