产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7469DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7469DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7469DP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P08-25L-E3
仓库库存编号：
SUD50P08-25L-E3CT-ND
别名：SUD50P08-25L-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7489DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7489DP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N10-09-E3
仓库库存编号：
SUM110N10-09-E3CT-ND
别名：SUM110N10-09-E3-ND
SUM110N10-09-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP75NF75
仓库库存编号：
497-2788-5-ND
别名：497-2788-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N50
仓库库存编号：
IXFH26N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P03P4L04ATMA1CT-ND
别名：IPD90P03P4L-04INCT
IPD90P03P4L-04INCT-ND
IPD90P03P4L04ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ431EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ431EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
型号：
STP75NF75FP
仓库库存编号：
497-12618-5-ND
别名：497-12618-5
STP75NF75FP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH10P60
仓库库存编号：
IXTH10P60-ND
别名：Q1152201
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P03P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P03P4L04AKSA1-ND
别名：IPP80P03P4L-04
IPP80P03P4L-04-ND
SP000396390
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF2807PBF
仓库库存编号：
IRF2807PBF-ND
别名：*IRF2807PBF
SP001550978
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP054PBF
仓库库存编号：
IRFP054PBF-ND
别名：*IRFP054PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP76NF75
仓库库存编号：
497-12619-5-ND
别名：497-12619-5
STP76NF75-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7489DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7489DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7489DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH240N10F7-6
仓库库存编号：
497-15312-1-ND
别名：497-15312-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 450W（Tc） TO-247
型号：
FDH038AN08A1
仓库库存编号：
FDH038AN08A1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc）
型号：
SUP85N10-10-GE3
仓库库存编号：
SUP85N10-10-GE3CT-ND
别名：SUP85N10-10-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH24N50
仓库库存编号：
IXFH24N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50
仓库库存编号：
IXFH21N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807STRLPBF
仓库库存编号：
IRF2807STRLPBFCT-ND
别名：IRF2807STRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB76NF75
仓库库存编号：
497-12538-1-ND
别名：497-12538-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STI76NF75
仓库库存编号：
497-12266-ND
别名：497-12266
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 190A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
TSM190N08CZ C0G
仓库库存编号：
TSM190N08CZ C0G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX21N100F
仓库库存编号：
IXFX21N100F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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