产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18502Q5B
仓库库存编号：
296-35629-1-ND
别名：296-35629-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC123N10LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC123N10LSGATMA1CT-ND
别名：BSC123N10LS GCT
BSC123N10LS GCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF644PBF
仓库库存编号：
IRF644PBF-ND
别名：*IRF644PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA90R500C3
仓库库存编号：
IPA90R500C3-ND
别名：IPA90R500C3XKSA1
SP000413716
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644SPBF
仓库库存编号：
IRF644SPBF-ND
别名：*IRF644SPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190CFD
仓库库存编号：
IPW65R190CFD-ND
别名：IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI644GPBF
仓库库存编号：
IRFI644GPBF-ND
别名：*IRFI644GPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP052NE7N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP052NE7N3GXKSA1-ND
别名：IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R500C3
仓库库存编号：
IPW90R500C3-ND
别名：IPW90R500C3FKSA1
SP000413756
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
型号：
ATP405-TL-H
仓库库存编号：
869-1088-1-ND
别名：869-1088-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB049NE7N3 G
仓库库存编号：
IPB049NE7N3 GCT-ND
别名：IPB049NE7N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190CFD
仓库库存编号：
IPA65R190CFD-ND
别名：IPA65R190CFDXKSA1
SP000905382
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP50N10-21P-GE3
仓库库存编号：
SUP50N10-21P-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），37A（Tc） 2.1W（Ta），60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD442
仓库库存编号：
785-1107-1-ND
别名：785-1107-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF40B207
仓库库存编号：
IRF40B207-ND
别名：SP001564728
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17576Q5B
仓库库存编号：
296-43635-1-ND
别名：296-43635-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90R500C3XKSA1
仓库库存编号：
IPP90R500C3XKSA1-ND
别名：IPP90R500C3
IPP90R500C3-ND
SP000413746
SP000683100
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），66W（Tc） Dual Cool ? 33
型号：
FDMC2512SDC
仓库库存编号：
FDMC2512SDCCT-ND
别名：FDMC2512SDCCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta），59W（Tc） Power33
型号：
FDMC7570S
仓库库存编号：
FDMC7570SCT-ND
别名：FDMC7570SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名：SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N03S2L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
别名：IPD50N03S2L06ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R2-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1860-1-ND
别名：1727-1860-1
568-11556-1
568-11556-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC011N03LSI
仓库库存编号：
BSC011N03LSICT-ND
别名：BSC011N03LSICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名：SPD50N03S2L06XTINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
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