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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7141DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7141DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7141DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN27N80
  仓库库存编号：IXFN27N80-ND
  别名：468185
  Q1653251
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 100V 140A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 140A（Tc） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH140P10T
  仓库库存编号：IXTH140P10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 140A（Tc） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT140P10T
  仓库库存编号：IXTT140P10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 110A（Tc） 270W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR140P10T
  仓库库存编号：IXTR140P10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N25
  仓库库存编号：IXFX120N25-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N25
  仓库库存编号：IXFK120N25-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 165A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N10
  仓库库存编号：IXFR180N10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK27N80
  仓库库存编号：IXFK27N80-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 165A（Tc） 400W（Tc） ECO-PAC2
  
  型号：VMO150-01P1
  仓库库存编号：VMO150-01P1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 170V 245A（Tc） 1090W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN260N17T
  仓库库存编号：IXFN260N17T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 170V 260A（Tc） 1670W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK260N17T
  仓库库存编号：IXFK260N17T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 170V 260A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX260N17T
  仓库库存编号：IXFX260N17T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 400nC @ 10V,
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