产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 209nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7650
仓库库存编号:
FDMS7650CT-ND
别名:FDMS7650CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 209nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 210A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3703PBF
仓库库存编号:
IRFP3703PBF-ND
别名:*IRFP3703PBF
SP001556744
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 209nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 210A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3703PBF
仓库库存编号:
IRF3703PBF-ND
别名:*IRF3703PBF
SP001574662
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 209nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 260A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3703
仓库库存编号:
IRFBL3703-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 209nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30V 210A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3703
仓库库存编号:
IRFP3703-ND
别名:*IRFP3703
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 209nC @ 10V,
含铅
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