产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(9)
TO-220-3(5)
8-PowerVDFN(1)
TO-247-3(5)
8-PowerTDFN(1)
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）(2)
PowerPAK? SO-8(1)
TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA(1)
TO-3P-3，SC-65-3(1)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(1)
TO-247-4(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
8-PowerSFN(2)
TO-220-3（SMT）标片(1)
ISOPLUS220?(1)
PLUS-220SMD(1)
重新选择
Fairchild/ON Semiconductor(10)
Toshiba Semiconductor and Storage(2)
Vishay Siliconix(1)
IXYS(7)
Infineon Technologies(16)
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表面贴装(19)
通孔(17)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(8)
-65°C ~ 175°C（TJ）(2)
-55°C ~ 175°C（TJ）(20)
150°C（TJ）(2)
-40°C ~ 175°C（TJ）(4)
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-(2)
TrenchFET?(1)
PowerTrench?(6)
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench?(2)
Dual Cool??，PowerTrench?(2)
HiPerFET??(1)
PolarHT??(2)
HEXFET?(11)
CoolMOS? C7(4)
StrongIRFET??(1)
PolarHT?? HiPerFET??(4)
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剪切带（CT） (10)
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D2PAK(6)
TO-220-3(2)
TO-220AB(2)
PowerPAK? SO-8(1)
D2PAK（TO-263AB）(3)
Dual Cool?56(1)
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TO-3P(1)
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TO-268(1)
PG-TO263-3(1)
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PG-TO220-3-1(1)
PG-TO247-3(1)
PG-TO247-4(1)
8-PSOF(2)
I2PAK（TO-262）(1)
8-SOP（5.5x6.0）(2)
ISOPLUS220?(1)
PLUS220(1)
PLUS-220SMD(1)
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MOSFET（金属氧化物）(36)
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±30V(12)
±20V(24)
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107nC @ 10V(36)
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2.3 毫欧 @ 29A，10V(1)
1.9 毫欧 @ 20A，10V(1)
34 毫欧 @ 37A，10V(5)
16 毫欧 @ 33A，10V(4)
15.5 毫欧 @ 33A，10V(1)
45 毫欧 @ 25A，10V(5)
40 毫欧 @ 24.9A，10V(4)
1.2 毫欧 @ 80A，10V(2)
9.5 毫欧 @ 40A，10V(2)
82 毫欧 @ 18A，10V(2)
15 毫欧 @ 33A，10V(3)
4.14 毫欧 @ 20A，10V(1)
12 毫欧 @ 5.5A，10V(1)
52 毫欧 @ 30A，10V(1)
40 毫欧 @ 30A，10V(1)
36 毫欧 @ 37A，10V(1)
10 毫欧 @ 5.5A，10V(1)
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10V(25)
4.5V，10V(1)
4V，10V(2)
6V，10V(7)
8V，10V(1)
重新选择
N 沟道(34)
P 沟道(2)
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60A（Tc）(2)
35A（Tc）(1)
11A（Ta）(2)
50A（Tc）(5)
74A（Tc）(5)
29A（Ta），108A（Tc）(1)
31A（Tc）(2)
240A（Tc）(2)
41A（Tc）(5)
78A（Tc）(1)
8A（Ta），79A（Tc）(3)
83A（Tc）(3)
80A（Ta）(2)
79A（Tc）(1)
20A（Ta），129A（Tc）(1)
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7680pF @ 30V(1)
4730pF @ 10V(1)
5870pF @ 25V(4)
3300pF @ 25V(6)
2260pF @ 25V(5)
4340pF @ 400V(4)
7735pF @ 25V(2)
2370pF @ 25V(2)
4530pF @ 25V(4)
7850pF @ 60V(1)
6180pF @ 25V(1)
5710pF @ 10V(1)
4893pF @ 50V(1)
4468pF @ 30V(2)
4500pF @ 10V(1)
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-(36)
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4V @ 250μA(9)
5V @ 250μA(6)
2V @ 1mA(2)
4.5V @ 250μA(6)
2.3V @ 250μA(1)
5V @ 4mA(4)
5.5V @ 250μA(2)
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5.5V @ 4mA(1)
4V @ 1.24mA(4)
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125W（Tc）(2)
310W（Tc）(5)
330W（Tc）(3)
1W（Ta）(2)
5.4W（Ta），83W（Tc）(1)
3.2W（Ta），156W（Tc）(1)
3.2W（Ta），125W（Tc）(1)
120W（Tc）(1)
200W（Tc）(5)
480W（Tc）(5)
313W（Tc）(1)
227W（Tc）(4)
300W（Tj）(2)
780W（Tc）(1)
3.1W（Ta），200W（Tc）(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），108A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86500DC
仓库库存编号：
FDMS86500DCFSCT-ND
别名：FDMS86500DCFSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR866DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR866DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR866DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2532
仓库库存编号：
FDB2532CT-ND
别名：FDB2532CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R040C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R040C7XKSA1-ND
别名：SP001296190
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R040C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R040C7XKSA1-ND
别名：SP001296204
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP60R040C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R040C7XKSA1-ND
别名：SP001277604
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL9406_F085
仓库库存编号：
FDBL9406_F085CT-ND
别名：FDBL9406_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2532_F085
仓库库存编号：
FDB2532_F085CT-ND
别名：FDB2532_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0120N40
仓库库存编号：
FDBL0120N40CT-ND
别名：FDBL0120N40CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB31N20DPBF
仓库库存编号：
IRFB31N20DPBF-ND
别名：*IRFB31N20DPBF
SP001560192
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4228PBF
仓库库存编号：
IRFB4228PBF-ND
别名：SP001575554
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），129A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
型号：
FDMT800120DC
仓库库存编号：
FDMT800120DCCT-ND
别名：FDMT800120DCCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRLP
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRLPCT-ND
别名：IRFS31N20DTRLPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP2532
仓库库存编号：
FDP2532-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 780W（Tc）
型号：
IXFH60N65X2
仓库库存编号：
IXFH60N65X2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ74N20P
仓库库存编号：
IXTQ74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-268
型号：
IXTT74N20P
仓库库存编号：
IXTT74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH74N20P
仓库库存编号：
IXFH74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R040C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R040C7ATMA1-ND
别名：SP001277610
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 50A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
型号：
IRF300P227
仓库库存编号：
IRF300P227-ND
别名：SP001582356
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI2532
仓库库存编号：
FDI2532-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5645
仓库库存编号：
FDP5645-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB5645
仓库库存编号：
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产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 35A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC74N20P
仓库库存编号：
IXFC74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 480W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV74N20P
仓库库存编号：
IXFV74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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