产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），108A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86500DC
仓库库存编号：
FDMS86500DCFSCT-ND
别名：FDMS86500DCFSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR866DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR866DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR866DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2532
仓库库存编号：
FDB2532CT-ND
别名：FDB2532CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R040C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R040C7XKSA1-ND
别名：SP001296190
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R040C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R040C7XKSA1-ND
别名：SP001296204
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP60R040C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R040C7XKSA1-ND
别名：SP001277604
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL9406_F085
仓库库存编号：
FDBL9406_F085CT-ND
别名：FDBL9406_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2532_F085
仓库库存编号：
FDB2532_F085CT-ND
别名：FDB2532_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0120N40
仓库库存编号：
FDBL0120N40CT-ND
别名：FDBL0120N40CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB31N20DPBF
仓库库存编号：
IRFB31N20DPBF-ND
别名：*IRFB31N20DPBF
SP001560192
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4228PBF
仓库库存编号：
IRFB4228PBF-ND
别名：SP001575554
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），129A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
型号：
FDMT800120DC
仓库库存编号：
FDMT800120DCCT-ND
别名：FDMT800120DCCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRLP
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRLPCT-ND
别名：IRFS31N20DTRLPCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP2532
仓库库存编号：
FDP2532-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 780W（Tc）
型号：
IXFH60N65X2
仓库库存编号：
IXFH60N65X2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ74N20P
仓库库存编号：
IXTQ74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-268
型号：
IXTT74N20P
仓库库存编号：
IXTT74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH74N20P
仓库库存编号：
IXFH74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R040C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R040C7ATMA1-ND
别名：SP001277610
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 50A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
型号：
IRF300P227
仓库库存编号：
IRF300P227-ND
别名：SP001582356
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI2532
仓库库存编号：
FDI2532-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5645
仓库库存编号：
FDP5645-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB5645
仓库库存编号：
FDB5645-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 35A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC74N20P
仓库库存编号：
IXFC74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 480W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV74N20P
仓库库存编号：
IXFV74N20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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