产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N06-09L-E3
仓库库存编号:
SUD50N06-09L-E3CT-ND
别名:SUD50N06-09L-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
STB10NK60ZT4
仓库库存编号:
497-6544-1-ND
别名:497-6544-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640PBF
仓库库存编号:
IRF640PBF-ND
别名:*IRF640PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP240PBF
仓库库存编号:
IRFP240PBF-ND
别名:*IRFP240PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF51N25
仓库库存编号:
FDPF51N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6415DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6415DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6415DQ-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5670
仓库库存编号:
FDS5670CT-ND
别名:FDS5670CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD95N4LF3
仓库库存编号:
497-8776-1-ND
别名:497-8776-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640SPBF
仓库库存编号:
IRF640SPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.5A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB23NM60ND
仓库库存编号:
497-8472-1-ND
别名:497-8472-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50APBF
仓库库存编号:
IRFPC50APBF-ND
别名:*IRFPC50APBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 225W(Tc) TO-247
型号:
FQH8N100C
仓库库存编号:
FQH8N100C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP36N30P
仓库库存编号:
IXTP36N30P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36N30P
仓库库存编号:
IXTA36N30P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 225W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA8N100C
仓库库存编号:
FQA8N100CFS-ND
别名:FQA8N100C-ND
FQA8N100CFS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099P6XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099P6XKSA1-ND
别名:SP001114658
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP18NM80
仓库库存编号:
497-10076-5-ND
别名:497-10076-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW48N60M2
仓库库存编号:
497-15250-5-ND
别名:497-15250-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 156W(Tc) TO-247-3
型号:
STW10NK60Z
仓库库存编号:
497-3253-5-ND
别名:497-3253-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R099P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099P6XKSA1-ND
别名:SP001114654
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R099P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099P6XKSA1-ND
别名:SP001114650
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R125CP
仓库库存编号:
IPW60R125CP-ND
别名:IPW60R125CPFKSA1
IPW60R125CPX
IPW60R125CPXK
SP000088489
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW50N65DM2AG
仓库库存编号:
497-16138-5-ND
别名:497-16138-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 40A
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW48N60DM2
仓库库存编号:
497-16360-5-ND
别名:497-16360-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-247 长引线
型号:
STWA48N60M2
仓库库存编号:
497-16513-5-ND
别名:497-16513-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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