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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL140N4LLF5
  仓库库存编号：497-10879-1-ND
  别名：497-10879-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGTR-ND
  别名：TSM090N03CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGCT-ND
  别名：TSM090N03CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGDKR-ND
  别名：TSM090N03CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7862TRPBF
  仓库库存编号：IRF7862TRPBFCT-ND
  别名：IRF7862TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB20XPE,115
  仓库库存编号：1727-1368-1-ND
  别名：1727-1368-1
  568-10817-1
  568-10817-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB29XPE,115
  仓库库存编号：1727-1372-1-ND
  别名：1727-1372-1
  568-10821-1
  568-10821-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2169H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2169H-EL-E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR838P
  仓库库存编号：FDR838P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 930mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4107NR2G
  仓库库存编号：NTMS4107NR2GOSCT-ND
  别名：NTMS4107NR2GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
  
  型号：IRF6601
  仓库库存编号：IRF6601CT-ND
  别名：IRF6601CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta），136A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6612TR1
  仓库库存编号：IRF6612TR1CT-ND
  别名：*IRF6612
  IRF6612CT
  IRF6612CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7832Z
  仓库库存编号：IRF7832Z-ND
  别名：SP001554428
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7832ZTR
  仓库库存编号：IRF7832ZTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta），136A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6612TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6612TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6612TR1PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），140A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6638TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6638TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6638TR1PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 4.5V,
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