产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8441
仓库库存编号：
FDB8441CT-ND
别名：FDB8441CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
BBS3002-DL-1E
仓库库存编号：
BBS3002-DL-1EOSCT-ND
别名：BBS3002-DL-1EOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP8441
仓库库存编号：
FDP8441-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SMP3003-DL-1E
仓库库存编号：
SMP3003-DL-1EOSCT-ND
别名：SMP3003-DL-1EOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SMP3003-TL-1E
仓库库存编号：
SMP3003-TL-1EOSCT-ND
别名：SMP3003-TL-1EOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
BBS3002-TL-1E
仓库库存编号：
BBS3002-TL-1EOSCT-ND
别名：BBS3002-TL-1EOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 15W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110P04-05-E3
仓库库存编号：
SUM110P04-05-E3CT-ND
别名：SUM110P04-05-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT39F60J
仓库库存编号：
APT39F60J-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA170N06AT4H
仓库库存编号：
NDBA170N06AT4H-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT74N20
仓库库存编号：
IXFT74N20-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N20
仓库库存编号：
IXFK80N20-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH74N20
仓库库存编号：
IXFH74N20-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
型号：
APT56M60L
仓库库存编号：
APT56M60L-ND
别名：APT56M60LMI
APT56M60LMI-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT56M60B2
仓库库存编号：
APT56M60B2-ND
别名：APT56M60B2MP
APT56M60B2MP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT56F60L
仓库库存编号：
APT56F60L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT56F60B2
仓库库存编号：
APT56F60B2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT39M60J
仓库库存编号：
APT39M60J-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
型号：
APTM20DAM08TG
仓库库存编号：
APTM20DAM08TG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
型号：
APTM20SKM08TG
仓库库存编号：
APTM20SKM08TG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW200NF03
仓库库存编号：
STW200NF03-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 26A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI8441
仓库库存编号：
FDI8441-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)
详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（L）
型号：
2SK3132(Q)
仓库库存编号：
2SK3132(Q)-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 99A（Tc） 781W（Tc） SP4
型号：
APTM50DAM35TG
仓库库存编号：
APTM50DAM35TG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 99A（Tc） 781W（Tc） SP4
型号：
APTM50SKM35TG
仓库库存编号：
APTM50SKM35TG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 23A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP8441_F085
仓库库存编号：
FDP8441_F085-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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