产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 24A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
NDP6020P
仓库库存编号:
NDP6020P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y7R2-60E,115
仓库库存编号:
1727-1814-1-ND
别名:1727-1814-1
568-11428-1
568-11428-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK9217-75B,118
仓库库存编号:
1727-4707-1-ND
别名:1727-4707-1
568-5857-1
568-5857-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU2905ZPBF
仓库库存编号:
IRLU2905ZPBF-ND
别名:*IRLU2905ZPBF
SP001558616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR2905ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR2905ZTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9616-75B,118
仓库库存编号:
1727-4714-1-ND
别名:1727-4714-1
568-5864-1
568-5864-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ34GPBF
仓库库存编号:
IRLIZ34GPBF-ND
别名:*IRLIZ34GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N20LTM
仓库库存编号:
FQB19N20LTMCT-ND
别名:FQB19N20LTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 60W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB6020P
仓库库存编号:
NDB6020PCT-ND
别名:NDB6020PCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ34PBF
仓库库存编号:
IRLZ34PBF-ND
别名:*IRLZ34PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS130N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS130N03FU6TB-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRLZ34SPBF
仓库库存编号:
IRLZ34SPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ34
仓库库存编号:
IRLZ34-ND
别名:*IRLZ34
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ34G
仓库库存编号:
IRLIZ34G-ND
别名:*IRLIZ34G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-262-3
型号:
IRLZ34L
仓库库存编号:
IRLZ34L-ND
别名:*IRLZ34L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34S
仓库库存编号:
IRLZ34S-ND
别名:*IRLZ34S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34STRL
仓库库存编号:
IRLZ34STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34STRR
仓库库存编号:
IRLZ34STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 3.13W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7064SN3
仓库库存编号:
FDS7064SN3CT-ND
别名:FDS7064SN3_NLCT
FDS7064SN3_NLCT-ND
FDS7064SN3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7764S
仓库库存编号:
FDS7764S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20L
仓库库存编号:
FQP19N20L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF19N20L
仓库库存编号:
FQAF19N20L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 25A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA19N20L
仓库库存编号:
FQA19N20L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ208P
仓库库存编号:
FDZ208P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 10A(Tc) 2.78W(Ta),6.25W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8435DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8435DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8435DB-T1-E1CT
SI8435DBT1E1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 5V,
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