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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA44P15TTRL
  仓库库存编号：IXTA44P15TTRLCT-ND
  别名：IXTA44P15TTRLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06LS3 GCT
  BSC028N06LS3 GCT-ND
  BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 330W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA70N15
  仓库库存编号：FQA70N15-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R0-40C,118
  仓库库存编号：1727-5250-1-ND
  别名：1727-5250-1
  568-6574-1
  568-6574-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ44P15T
  仓库库存编号：IXTQ44P15T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1.05KVV 44A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY50N105DK5
  仓库库存编号：497-17225-ND
  别名：497-17225
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK72A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK72A08N1S4X-ND
  别名：TK72A08N1,S4X(S
  TK72A08N1,S4X-ND
  TK72A08N1S4X
  TK72A08N1S4X(S
  TK72A08N1S4X(S-ND
  TK72A08N1S4XS
  TK80A08K3(Q)
  TK80A08K3(Q,M)
  TK80A08K3(QM)
  TK80A08K3(QM)-ND
  TK80A08K3Q
  TK80A08K3Q-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD042P03L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD042P03L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD042P03L3GATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E2R3-40C,127
  仓库库存编号：1727-5269-ND
  别名：1727-5269
  568-6628
  568-6628-5
  568-6628-5-ND
  568-6628-ND
  934059861127
  BUK7E2R3-40C,127-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP44P15T
  仓库库存编号：IXTP44P15T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH44P15T
  仓库库存编号：IXTH44P15T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV160NF02LAT4
  仓库库存编号：STV160NF02LAT4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 333W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK752R3-40C,127
  仓库库存编号：568-6621-5-ND
  别名：568-6621
  568-6621-5
  568-6621-ND
  934059866127
  BUK752R3-40C,127-ND
  BUK752R340C127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 44A（Tc） 130W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF70N15
  仓库库存编号：FQAF70N15-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 175nC @ 10V,
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