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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW20NK50Z
  仓库库存编号：497-3261-5-ND
  别名：497-3261-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 35W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R099C6
  仓库库存编号：IPA60R099C6-ND
  别名：IPA60R099C6XKSA1
  SP000658000
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099C6
  仓库库存编号：IPP60R099C6-ND
  别名：IPP60R099C6XKSA1
  SP000687556
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C6
  仓库库存编号：IPW60R099C6-ND
  别名：IPW60R099C6FKSA1
  SP000641908
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 40W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI20NK50Z
  仓库库存编号：497-12858-5-ND
  别名：497-12858-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20NK50Z
  仓库库存编号：497-8894-5-ND
  别名：497-8894-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 32A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7558S
  仓库库存编号：FDMS7558SCT-ND
  别名：FDMS7558SCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB21NK50Z
  仓库库存编号：497-8767-1-ND
  别名：497-8767-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NK50Z
  仓库库存编号：497-7515-5-ND
  别名：497-7515-5
  STP20NK50Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R099C6
  仓库库存编号：IPB60R099C6CT-ND
  别名：IPB60R099C6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB20NK50ZT4
  仓库库存编号：497-4323-1-ND
  别名：497-4323-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 42A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 42A（Ta），49A（Tc） 3.3W（Ta），104W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS2504SDC
  仓库库存编号：FDMS2504SDCCT-ND
  别名：FDMS2504SDCCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 119nC @ 10V,
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