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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035AN06A0
  仓库库存编号：FDB035AN06A0CT-ND
  别名：FDB035AN06A0CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6673BZ
  仓库库存编号：FDS6673BZCT-ND
  别名：FDS6673BZCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0
  仓库库存编号：FDP038AN06A0-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 39A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 330W（Tc） TO-247
  
  型号：STW48NM60N
  仓库库存编号：497-11367-5-ND
  别名：497-11367-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4430
  仓库库存编号：785-1028-1-ND
  别名：785-1028-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC020N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC020N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC020N03MSGINCT
  BSC020N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK664R4-55C,118
  仓库库存编号：1727-5525-1-ND
  别名：1727-5525-1
  568-7004-1
  568-7004-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDB035AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDB035AN06A0_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI038AN06A0
  仓库库存编号：FDI038AN06A0-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6673BZ_F085
  仓库库存编号：FDS6673BZ_F085CT-ND
  别名：FDS6673BZ_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7610-55AL,118
  仓库库存编号：1727-7164-1-ND
  别名：1727-7164-1
  568-9648-1
  568-9648-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO033N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO033N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO033N03MS GINCT
  BSO033N03MS GINCT-ND
  BSO033N03MSGXUMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N03-3M4_GE3
  仓库库存编号：SQD100N03-3M4_GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ50S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ50S06M3L(T6L1NQ
  TJ50S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tc） 8-HPSOF
  
  型号：FDBL86062_F085
  仓库库存编号：FDBL86062_F085-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0_F102
  仓库库存编号：FDP038AN06A0_F102-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 240MA 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 240A（Tc） 214W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT012N06NATMA1
  仓库库存编号：IPT012N06NATMA1-ND
  别名：SP001637074
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000681060
  SPP20N60CFD
  SPP20N60CFD-ND
  SPP20N60CFDIN
  SPP20N60CFDIN-ND
  SPP20N60CFDX
  SPP20N60CFDXK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA20N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPA20N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000216361
  SPA20N60CFD
  SPA20N60CFD-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW20N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW20N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000014535
  SPW20N60CFD
  SPW20N60CFD-ND
  SPW20N60CFDIN
  SPW20N60CFDIN-ND
  SPW20N60CFDX
  SPW20N60CFDXK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7510-55AL,127
  仓库库存编号：568-9810-5-ND
  别名：568-9810-5
  934059076127
  BUK7510-55AL,127-ND
  BUK751055AL127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP460NPBF
  仓库库存编号：IRFP460NPBF-ND
  别名：*IRFP460NPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 44A（Tc） 463W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT5510JFLL
  仓库库存编号：APT5510JFLL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP06CN10LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP06CN10LGXKSA1-ND
  别名：IPP06CN10L G
  IPP06CN10L G-ND
  SP000308789
  SP000680820
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI20N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPI20N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000229995
  SP000681008
  SPI20N60CFD
  SPI20N60CFD-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 124nC @ 10V,
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