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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB031N08
  仓库库存编号：FDB031N08CT-ND
  别名：FDB031N08CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH58N20
  仓库库存编号：IXFH58N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA00DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA00DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3077PBF
  仓库库存编号：IRFB3077PBF-ND
  别名：64-0091PBF
  64-0091PBF-ND
  SP001575594
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N20
  仓库库存编号：IXFH50N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP032N08
  仓库库存编号：FDP032N08-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 340W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3077PBF
  仓库库存编号：IRFP3077PBF-ND
  别名：SP001566982
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA032N08
  仓库库存编号：FDA032N08-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 42A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH42N20
  仓库库存编号：IXFH42N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N60E-GE3-ND
  别名：SIHW47N60E-GE3CT
  SIHW47N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N60E-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ410EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ410EL-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86561_F085
  仓库库存编号：FDBL86561_F085CT-ND
  别名：FDBL86561_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 300A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0110N60
  仓库库存编号：FDBL0110N60CT-ND
  别名：FDBL0110N60CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG47N60E-E3-ND
  别名：SIHG47N60EE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT56M50B2
  仓库库存编号：APT56M50B2-ND
  别名：APT56M50B2MI
  APT56M50B2MI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 106A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3808STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3808STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3808STRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB260NPBF
  仓库库存编号：IRFB260NPBF-ND
  别名：*IRFB260NPBF
  SP001551726
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH40N30
  仓库库存编号：IXTH40N30-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264
  
  型号：APT56M50L
  仓库库存编号：APT56M50L-ND
  别名：APT56M50LMI
  APT56M50LMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 94A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK94N50P2
  仓库库存编号：IXFK94N50P2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX94N50P2
  仓库库存编号：IXFX94N50P2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3808PBF
  仓库库存编号：IRF3808PBF-ND
  别名：*IRF3808PBF
  SP001563250
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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  500V POLAR2 HIPERFETS
  详细描述：底座安装 N 沟道 68A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN94N50P2
  仓库库存编号：IXFN94N50P2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
• 不适用
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 38A（Tc） 355W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT38F50J
  仓库库存编号：APT38F50J-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 220nC @ 10V,
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