产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA00DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA00DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 357W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N60E-GE3-ND
别名:SIHW47N60E-GE3CT
SIHW47N60E-GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 357W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG47N60E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ410EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ410EL-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 357W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG47N60E-E3-ND
别名:SIHG47N60EE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ100EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ100EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ100EL-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA00DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA00DP-T1-RE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 450W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS30N60KPBF
仓库库存编号:
IRFPS30N60KPBF-ND
别名:*IRFPS30N60KPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 480W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS29N60LPBF
仓库库存编号:
IRFPS29N60LPBF-ND
别名:*IRFPS29N60LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V,
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