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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV300NH02L
  仓库库存编号：497-7614-1-ND
  别名：497-7614-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 200A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA200N055T2
  仓库库存编号：IXTA200N055T2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 29A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0302S
  仓库库存编号：FDMS0302SCT-ND
  别名：FDMS0302SCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB024N04AL7
  仓库库存编号：FDB024N04AL7CT-ND
  别名：FDB024N04AL7CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 200A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP200N055T2
  仓库库存编号：IXTP200N055T2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7658AS
  仓库库存编号：FDMS7658ASCT-ND
  别名：FDMS7658ASCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7787TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7787TRLPBFCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 349W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R9-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1858-1-ND
  别名：1727-1858-1
  568-11554-1
  568-11554-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 83A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7787PBF
  仓库库存编号：IRFB7787PBF-ND
  别名：SP001570798
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH300NH02L-6
  仓库库存编号：497-12255-1-ND
  别名：497-12255-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ403EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ403EP-T1_GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 170A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA170N075T2
  仓库库存编号：IXTA170N075T2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 170A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP170N075T2
  仓库库存编号：IXTP170N075T2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 76A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 76A（Tc） 125W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7787PBF
  仓库库存编号：IRFSL7787PBF-ND
  别名：SP001576372
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8102(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8102(TE12L,Q,M-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 263W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PHW80NQ10T,127
  仓库库存编号：PHW80NQ10T,127-ND
  别名：934055695127
  PHW80NQ10T
  PHW80NQ10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 109nC @ 10V,
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