产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.4nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 500V 9.6A(Ta) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4036
仓库库存编号:
BFL4036-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.4nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9.6A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 9.6A(Tc) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4036-1E
仓库库存编号:
BFL4036-1E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.4nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP21N10
仓库库存编号:
SPP21N10IN-ND
别名:SP000013842
SPP21N10IN
SPP21N10X
SPP21N10XTIN
SPP21N10XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.4nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10
仓库库存编号:
SPB21N10INCT-ND
别名:SPB21N10INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.4nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10T
仓库库存编号:
SPB21N10T-ND
别名:SP000013626
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.4nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10 G
仓库库存编号:
SPB21N10 G-ND
别名:SP000102171
SPB21N10GXT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.4nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI21N10
仓库库存编号:
SPI21N10IN-ND
别名:SP000013843
SPI21N10-ND
SPI21N10IN
SPI21N10X
SPI21N10XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38.4nC @ 10V,
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