产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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EPC
TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta) 模具
型号:
EPC2034
仓库库存编号:
917-1132-1-ND
别名:917-1132-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RVQ040N05TR
仓库库存编号:
RVQ040N05CT-ND
别名:RVQ040N05CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Tc) 44W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M120-100EX
仓库库存编号:
1727-2570-1-ND
别名:1727-2570-1
568-13014-1
568-13014-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 5V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89
型号:
CXDM6053N TR
仓库库存编号:
CXDM6053N CT-ND
别名:CXDM6053N CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU60N3LH5
仓库库存编号:
497-12697-5-ND
别名:497-12697-5
STU60N3LH5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 48A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD60N3LH5
仓库库存编号:
497-7971-1-ND
别名:497-7971-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 48A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60N3LH5
仓库库存编号:
497-10713-5-ND
别名:497-10713-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 5V,
无铅
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