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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD1NK80ZT4
  仓库库存编号：497-4751-1-ND
  别名：497-4751-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN10A08GTA
  仓库库存编号：ZXMN10A08GCT-ND
  别名：ZXMN10A08GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1NK80ZR-AP
  仓库库存编号：497-6197-1-ND
  别名：497-6197-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN1NK80Z
  仓库库存编号：497-4669-1-ND
  别名：497-4669-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 950mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3F30FHTA
  仓库库存编号：ZXMN3F30FHCT-ND
  别名：ZXMN3F30FHCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD1NK80Z-1
  仓库库存编号：497-16198-5-ND
  别名：497-16198-5
  STD1NK80Z-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMN10A08E6TA
  仓库库存编号：ZXMN10A08E6CT-ND
  别名：ZXMN10A08E6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N1R4CP ROGTR-ND
  别名：TSM60N1R4CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N1R4CP ROGCT-ND
  别名：TSM60N1R4CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N1R4CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60N1R4CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N1R4CP ROGTR-ND
  别名：TSM70N1R4CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N1R4CP ROGCT-ND
  别名：TSM70N1R4CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM70N1R4CP ROG
  仓库库存编号：TSM70N1R4CP ROGDKR-ND
  别名：TSM70N1R4CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60N1R4CH C5G
  仓库库存编号：TSM60N1R4CH C5G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 38W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM70N1R4CH C5G
  仓库库存编号：TSM70N1R4CH C5G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta） 1.13W SOT-23-3
  
  型号：DMN2058U-13
  仓库库存编号：DMN2058U-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta） 1.13W SOT-23-3
  
  型号：DMN2058U-7
  仓库库存编号：DMN2058U-7-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：SSU1N60BTU_WS
  仓库库存编号：SSU1N60BTU_WS-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：SSR1N60BTM_WS
  仓库库存编号：SSR1N60BTM_WS-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 7A（Tc） 23W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N08
  仓库库存编号：FQPF9N08-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N08
  仓库库存编号：FQP9N08-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD9N08TM
  仓库库存编号：FQD9N08TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N08TM
  仓库库存编号：FQB9N08TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N08TU
  仓库库存编号：FQI9N08TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：SSR1N60BTM
  仓库库存编号：SSR1N60BTM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 10V,
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