产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 42.8W(Tc) D-Pak
型号:
STD12NF06LT4
仓库库存编号:
497-2487-1-ND
别名:497-2487-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP16NF06L
仓库库存编号:
497-2765-5-ND
别名:497-2765-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 42.8W(Tc) I-Pak
型号:
STD12NF06L-1
仓库库存编号:
497-6730-5-ND
别名:497-6730-5
STD12NF06L-1-ND
STD12NF06L1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 模具剖面(11 焊条)
型号:
EPC2001
仓库库存编号:
917-1014-1-ND
别名:917-1014-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 模具剖面(11 焊条)
型号:
EPC2001
仓库库存编号:
917-1014-6-ND
别名:917-1014-6
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2033
仓库库存编号:
917-1131-1-ND
别名:917-1131-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.5W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055L170T4G
仓库库存编号:
NTD3055L170T4GOSCT-ND
别名:NTD3055L170T4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta) DPAK
型号:
NVD3055L170T4G-VF01
仓库库存编号:
NVD3055L170T4G-VF01CT-ND
别名:NVD3055L170T4G-VF01CT
NVD3055L170T4GOSCT
NVD3055L170T4GOSCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6111(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6111(TE85LFM)CT-ND
别名:TPC6111(TE85LFM)CT
TPC6111TE85LFCT
TPC6111TE85LFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.9W(Ta),48W(Tc) TO-252-3
型号:
MTD3055VL
仓库库存编号:
MTD3055VLCT-ND
别名:MTD3055VLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2033ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2033ENGRCT-ND
别名:917-1141-1
917-1141-1-ND
917-EPC2033ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
MTP3055VL
仓库库存编号:
MTP3055VLFS-ND
别名:MTP3055VLFS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5A VS6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6113(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6113(TE85LFM)-ND
别名:TPC6113(TE85LFM)
TPC6113TE85LFM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055L175T3LF
仓库库存编号:
NTF3055L175T3LFOS-ND
别名:NTF3055L175T3LFOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055L175T1
仓库库存编号:
NTF3055L175T1OS-ND
别名:NTF3055L175T1OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.5W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055L170-001
仓库库存编号:
NTD3055L170-001OS-ND
别名:NTD3055L170-001OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
MTP3055VL
仓库库存编号:
MTP3055VLOS-ND
别名:MTP3055VLOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.5W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD3055L170
仓库库存编号:
NTD3055L170-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.5W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055L170-1G
仓库库存编号:
NTD3055L170-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055L175T3
仓库库存编号:
NTF3055L175T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.1A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1488DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1488DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1488DH-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055L175T1G
仓库库存编号:
NTF3055L175T1GOSCT-ND
别名:NTF3055L175T1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 25A(Ta) 模具
型号:
EPC2801
仓库库存编号:
917-1035-1-ND
别名:917-1035-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
含铅
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EPC
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2033ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2033ENGR-ND
别名:917-EPC2033ENGR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP13N03LB G
仓库库存编号:
IPP13N03LB G-ND
别名:IPP13N03LBGX
SP000064224
SP000680872
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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邮箱:
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