产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD2HNK60Z
仓库库存编号:
497-6192-1-ND
别名:497-6192-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC655BN
仓库库存编号:
FDC655BNCT-ND
别名:FDC655BNCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2307BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2307BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2307BDS-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2318DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2318DS-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 36W(Tc) DPAK
型号:
NTD5867NLT4G
仓库库存编号:
NTD5867NLT4GOSCT-ND
别名:NTD5867NLT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT2955
仓库库存编号:
NDT2955CT-ND
别名:NDT2955CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT3055
仓库库存编号:
NDT3055CT-ND
别名:NDT3055CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 65W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y12-40EX
仓库库存编号:
1727-1106-1-ND
别名:1727-1106-1
568-10261-1
568-10261-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Ta),16A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) Power56
型号:
FDMS86252
仓库库存编号:
FDMS86252CT-ND
别名:FDMS86252CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4752
仓库库存编号:
785-1597-1-ND
别名:785-1597-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2318DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2318DS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 2W(Tc)
型号:
SQ2361AEES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2361AEES-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7465TRPBF
仓库库存编号:
IRF7465PBFCT-ND
别名:*IRF7465TRPBF
IRF7465PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC097N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC097N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC097N06NSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 3.2W(Ta),29W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17579Q3AT
仓库库存编号:
296-38463-1-ND
别名:296-38463-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3692
仓库库存编号:
FDS3692CT-ND
别名:FDS3692CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD2N62K3
仓库库存编号:
497-12553-1-ND
别名:497-12553-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N90TM
仓库库存编号:
FQD2N90TMCT-ND
别名:FQD2N90TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC500N20NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC500N20NS3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD12N50M2
仓库库存编号:
497-15307-1-ND
别名:497-15307-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD2HNK60Z-1
仓库库存编号:
497-12783-5-ND
别名:497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.8A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD20N06TM
仓库库存编号:
FQD20N06TMCT-ND
别名:FQD20N06TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM
仓库库存编号:
FQD8P10TMCT-ND
别名:FQD8P10TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD12N06RLESM9A
仓库库存编号:
RFD12N06RLESM9ACT-ND
别名:RFD12N06RLESM9ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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