产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS5PF30L
仓库库存编号:
497-3231-1-ND
别名:497-3231-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6690A
仓库库存编号:
FDS6690ACT-ND
别名:FDS6690ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 16A CPT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RSD160P05TL
仓库库存编号:
RSD160P05TLCT-ND
别名:RSD160P05TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH065N06TB1
仓库库存编号:
RSH065N06TB1CT-ND
别名:RSH065N06TB1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL620PBF
仓库库存编号:
IRL620PBF-ND
别名:*IRL620PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Ta) 模具
型号:
EPC2020
仓库库存编号:
917-1105-1-ND
别名:917-1105-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS6802TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS6802PBFCT-ND
别名:*IRLMS6802TRPBF
IRLMS6802PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS065N06FU6TB
仓库库存编号:
RSS065N06FU6TBCT-ND
别名:RSS065N06FU6TBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2020ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2020ENGRCT-ND
别名:917-EPC2020ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRL620SPBF
仓库库存编号:
IRL620SPBF-ND
别名:*IRL620SPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRL620STRLPBF
仓库库存编号:
IRL620STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS4DPFS30L
仓库库存编号:
497-4397-1-ND
别名:497-4397-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL620
仓库库存编号:
IRL620-ND
别名:*IRL620
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRL620S
仓库库存编号:
IRL620S-ND
别名:*IRL620S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRL620STRL
仓库库存编号:
IRL620STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRL620STRR
仓库库存编号:
IRL620STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 9.5A(Ta),32A(Tc) 1.3W(Ta),50W(Tc) DPAK
型号:
NTD65N03R
仓库库存编号:
NTD65N03R-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 9.5A(Ta),32A(Tc) 1.3W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
NTD65N03R-001
仓库库存编号:
NTD65N03R-001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 9.5A(Ta),32A(Tc) 1.3W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
NTD65N03R-035
仓库库存编号:
NTD65N03R-035-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 9.5A(Ta),32A(Tc) 1.3W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
NTD65N03R-1G
仓库库存编号:
NTD65N03R-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 9.5A(Ta),32A(Tc) 1.3W(Ta),50W(Tc) DPAK
型号:
NTD65N03RG
仓库库存编号:
NTD65N03RG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 9.5A(Ta),32A(Tc) 1.3W(Ta),50W(Tc) DPAK
型号:
NTD65N03RT4
仓库库存编号:
NTD65N03RT4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 9.5A(Ta),32A(Tc) 1.3W(Ta),50W(Tc) DPAK
型号:
NTD65N03RT4G
仓库库存编号:
NTD65N03RT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9.8A(Tc) 1.8W(Ta),11.4W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8445DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8445DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8445DB-T2-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2020ENG
仓库库存编号:
917-EPC2020ENG-ND
别名:917-EPC2020ENG
EPC2020ENGRB2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 5V,
无铅
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