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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD20NF06LT4
  仓库库存编号：497-5888-1-ND
  别名：497-5888-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） TO-236
  
  型号：SI2356DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2356DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2356DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 40V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2318AES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2318AES-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.3W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2338DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2338DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2338DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC855N
  仓库库存编号：FDC855NCT-ND
  别名：FDC855NCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） 6-WLCSP
  
  型号：FDZ191P
  仓库库存编号：FDZ191PCT-ND
  别名：FDZ191PCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5P20TM
  仓库库存编号：FQD5P20TMCT-ND
  别名：FQD5P20TMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9310TRPBFCT-ND
  别名：*IRFR9310TRPBF
  IRFR9310PBFCT
  IRFR9310PBFCT-ND
  IRFR9310TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP16NF06
  仓库库存编号：497-2766-5-ND
  别名：497-2766-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3455T1G
  仓库库存编号：NTGS3455T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3455T1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN030-60YS,115
  仓库库存编号：1727-4628-1-ND
  别名：1727-4628-1
  568-5584-1
  568-5584-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8884
  仓库库存编号：FDS8884CT-ND
  别名：FDS8884CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ130N03LS G
  仓库库存编号：BSZ130N03LSGINCT-ND
  别名：BSZ130N03LSGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7632
  仓库库存编号：FDMA7632CT-ND
  别名：FDMA7632CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N60NZTM
  仓库库存编号：FDD5N60NZTMCT-ND
  别名：FDD5N60NZTMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS6N548
  仓库库存编号：FDFS6N548CT-ND
  别名：FDFS6N548CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N40TU
  仓库库存编号：FQU5N40TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N40
  仓库库存编号：FQPF5N40-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9310PBF
  仓库库存编号：IRFU9310PBF-ND
  别名：*IRFU9310PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGBTMA1CT-ND
  别名：SPD08P06PGBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R950C6
  仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND
  别名：IPB60R950C6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R950C6
  仓库库存编号：IPP60R950C6-ND
  别名：IPP60R950C6XKSA1
  SP000629364
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGTR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGCT-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM2N60SCW RPG
  仓库库存编号：TSM2N60SCW RPGDKR-ND
  别名：TSM2N60SCW RPGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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