产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 125W(Tc) D-Pak
型号:
STD70N10F4
仓库库存编号:
497-8806-1-ND
别名:497-8806-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta),61A(Tc) 4.1W(Ta),118W(Tc) DPAK-3
型号:
NVD5117PLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5117PLT4G-VF01CT-ND
别名:NVD5117PLT4G-VF01CT
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC027N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC027N04LS GCT
BSC027N04LS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA11N80C3
仓库库存编号:
SPA11N80C3IN-ND
别名:SP000216320
SPA11N80C3IN
SPA11N80C3X
SPA11N80C3XK
SPA11N80C3XKSA1
SPA11N80C3XTIN
SPA11N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
R6025FNZ1C9
仓库库存编号:
R6025FNZ1C9-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK39N60X,S1F
仓库库存编号:
TK39N60XS1F-ND
别名:TK39N60X,S1F(S
TK39N60XS1F
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6030ENX
仓库库存编号:
R6030ENX-ND
别名:R6030ENXCT
R6030ENXCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6030ENZC8
仓库库存编号:
R6030ENZC8-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6030ENZ1C9
仓库库存编号:
R6030ENZ1C9-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 13A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ454EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ454EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ454EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
STP160N75F3
仓库库存编号:
497-7508-5-ND
别名:497-7508-5
STP160N75F3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 146W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP053N08B_F102
仓库库存编号:
FDP053N08B_F102-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 270W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N50F
仓库库存编号:
FDA24N50F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
STB160N75F3
仓库库存编号:
497-7937-1-ND
别名:497-7937-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 270W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N50
仓库库存编号:
FDA24N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N80C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N80C3XKSA1-ND
别名:SP000683158
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3IN-ND
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N80C3
仓库库存编号:
SPW11N80C3IN-ND
别名:SP000013703
SPW11N80C3FKSA1
SPW11N80C3IN
SPW11N80C3X
SPW11N80C3XK
SPW11N80C3XTIN
SPW11N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ36N50P
仓库库存编号:
IXTQ36N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 150W(Tc) TO-3PF
型号:
R6025FNZC8
仓库库存编号:
R6025FNZC8-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 78.5A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP90142E_GE3
仓库库存编号:
SQP90142E_GE3-ND
别名:SQP90142E_GE3CT
SQP90142E_GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Ta),40A(Tc) 2.3W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2007UFG-7
仓库库存编号:
DMP2007UFG-7DICT-ND
别名:DMP2007UFG-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8051-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8051-HTE12LQCT-ND
别名:TPC8051-HTE12LQCT
TPC8051HTE12LQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM90142E_GE3
仓库库存编号:
SQM90142E_GE3CT-ND
别名:SQM90142E_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ50N50P3
仓库库存编号:
IXFQ50N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA62EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA62EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V,
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