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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35NF06LT4
  仓库库存编号：497-7965-1-ND
  别名：497-7965-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2908TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR2908TRLPBFCT-ND
  别名：IRLR2908TRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF3717TRPBF
  仓库库存编号：IRF3717PBFCT-ND
  别名：*IRF3717TRPBF
  IRF3717PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 94W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3103PBF
  仓库库存编号：IRL3103PBF-ND
  别名：*IRL3103PBF
  SP001571808
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J132TU,LF
  仓库库存编号：SSM3J132TULFCT-ND
  别名：SSM3J132TULFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS10P3LLH6
  仓库库存编号：497-15482-1-ND
  别名：497-15482-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 52A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD52P3LLH6
  仓库库存编号：497-15464-1-ND
  别名：497-15464-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：STD40NF3LLT4
  仓库库存编号：497-12558-1-ND
  别名：497-12558-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 62A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL62P3LLH6
  仓库库存编号：497-15481-1-ND
  别名：497-15481-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF3717
  仓库库存编号：IRF3717-ND
  别名：*IRF3717
  SP001561700
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB70NF3LLT4
  仓库库存编号：STB70NF3LLT4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL200N45LF7
  仓库库存编号：STL200N45LF7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.4A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK31NQ03LT,518
  仓库库存编号：PHK31NQ03LT,518-ND
  别名：934058879518
  PHK31NQ03LT /T3
  PHK31NQ03LT /T3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2165H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2165H-EL-E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3103STRLPBF-ND
  别名：SP001552534
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.2W（Ta），41W（Tc） DIRECTFET? SC
  
  型号：AUIRL7732S2TR
  仓库库存编号：AUIRL7732S2TR-ND
  别名：SP001521366
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 70W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：STSJ25NF3LL
  仓库库存编号：STSJ25NF3LL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 38A（Ta） 5.2W（Ta） PolarPak?
  
  型号：STK822
  仓库库存编号：497-6325-1-ND
  别名：497-6325-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3473DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3473DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3473DV-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），26W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7700
  仓库库存编号：785-1138-1-ND
  别名：785-1138-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3473DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3473DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103S
  仓库库存编号：IRL3103S-ND
  别名：*IRL3103S
  SP001550308
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3103L
  仓库库存编号：IRL3103L-ND
  别名：*IRL3103L
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103STRL
  仓库库存编号：IRL3103STRL-ND
  别名：SP001573698
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103STRR
  仓库库存编号：IRL3103STRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 4.5V,
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